TPSI2140-Q1 是一款 隔离式固态继电器，专为高电压汽车和工业应用而设计。 TPSI2140-Q1 与 TI 具有高可靠性的电容隔离技术和内部背对背 MOSFET 整合在一起，形成了一款完全集成式解决方案，无需次级侧电源。

该器件的整个初级侧仅需 7.5mA 的输入电流，支持用户从单个微控制器 GPIO 驱动 VDD 和 EN 引脚，无需光继电器解决方案中的外部低侧开关。此外，用户还可以选择将 VDD 引脚连接到 5V 至 20V 的系统电源并从 GPIO 驱动 EN 引脚。EN 引脚处于失效防护状态，防止 VDD 电源发生反向供电。

次级侧都包含背对背 MOSFET，从 S1 至 S2 的关断电压为 ±1.4kV。 TPSI2140-Q1 MOSFET 的雪崩稳健性和热敏感封装设计使其可以通过系统级高压 (HiPot) 筛选，并且无需任何外部元件即可承受高达 2mA 的直流快速充电器浪涌电流。 TPSI2140T-Q1 器件版本具有 TI 的热雪崩保护 (TAP) 功能，可支持高达 5mA 的雪崩电流。

• 符合汽车应用要求
  • AEC-Q100 等级 1：–40°C 至 125°C 的工作环境温度范围
• 具有 2 mA 雪崩额定值的集成式 MOSFET ， TPSI2140T-Q1 版本可高达 5 mA
  • 1400V 关断电压
  • RON = 130Ω (TJ = 25°C)
  • TON，TOFF < 350 μs
• 低初级侧电源电流
  • 7.5 mA 导通状态电流
  • 6 μA 关断状态电流
• 稳健可靠的隔离栅：
  • 在 1000VRMS/1414VDC 工作电压下预计寿命超过 26 年
  • 隔离额定值 VISO 高达 3750VRMS/5300VDC
  • 峰值浪涌 VIOSM 高达 6000V
  • ± 100 V/ns CMTI（典型值）
• 采用具有宽引脚的 SOIC (DWQ-11) 封装，提高了热性能
  • 爬电距离和间隙 ≥ 8mm（初级-次级）
  • 爬电距离和间隙 ≥ 6mm（开关端子之间）
• 安全相关认证
  • （计划）DIN VDE V 0884-11:2017-01
  • （计划）UL 1577 组件认证计划

• Isolation rating (Vrms)
• 3750
• FET
• Internal
• Number of channels (#)
• 1
• Supply voltage (Min) (V)
• 4.5
• Supply voltage (Max) (V)
• 20
• Load voltage (V)
• 1400
• Imax (A)
• 0.05
• Features
• 2-mA avalanche current, Capacitive isolation, Thermal avalanche protection (TAP)
• Turn on time (enable) (ns)
• 70000
• Turn off time (disable) (ns)
• 100000
• OFF-state leakage current (μA)
• 1
• Rating
• Automotive

TPSI2140-Q1的完整型号有：XTPSI2140QDWQRQ1，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

XTPSI2140QDWQRQ1，工作温度：-40 to 125，封装： (DWQ)-11，包装数量MPQ：1000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：-，引脚镀层/焊球材料：-，TI官网XTPSI2140QDWQRQ1的批量USD价格：2.75（1000+）

TPSI2140Q1EVM — 适用于具有 2mA 雪崩额定值，1400V、50mA 隔离开关的 TPSI2140-Q1 评估模块

TPSI2140Q1EVM 评估模块是包含多个测试点和跳线的两铜层板，用于全面评估器件的功能。

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice

PSpice for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助?PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短产品上市时间并降低开发成本。

在?PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)

TIDA-01513 — 汽车类高电压和隔离泄漏测量参考设计

此参考设计功能旨在监控高压总线到机箱接地的隔离电阻。由于电池管理系统、牵引逆变器、直流/直流转换器、车载充电器和其他子系统在高电压（大于 60V）下运行，监控耦合器件和组件到机箱接地的高电压隔离能力是 HEV 和 EV 的必备功能。

TIDA-010232 — 高压电动汽车充电和太阳能中的绝缘监测 AFE 参考设计

此参考设计采用基于电桥的直流绝缘监测 (DC-IM) 方法，可实现精确的对称和非对称绝缘漏电检测机制，以及隔离电阻检测机制。我们推出了新一代隔离放大器和开关，无需热侧外部电源即可实现隔离。因此，MCU 可以从冷侧为隔离器件供电。绝缘监测诊断可直接由功率转换或充电协议 MCU 控制。