TS3DDR4000 是一款 1:2 或 2:1 高速 DDR2/DDR3/DDR4 开关，可实现 12 位宽总线切换。该器件可针对所有位同时将 A 端口切换为 B 或 C 端口。TS3DDR4000 设计用于 DDR2、DDR3 和 DDR4 存储器总线系统，并且采用一种专有架构，可提供高带宽（单端 5.6GHz 下的带宽为 -3dB）、低频下的低插入损耗以及超低传播延迟等诸多优势。TS3DDR4000 兼容 1.8V 逻辑，并且所有开关均为双向开关，提高了设计灵活性。此外，TS3DDR4000 还具有低功耗模式。在此模式下，所有通道均呈高阻态且器件功耗最低。

• 宽 VDD 范围：2.375V 至 3.6V
• 高带宽：5.6GHz（单端典型值）；6.0GHz（差分典型值）
• 低开关导通电阻 (RON)：8?（典型值）
• 低位间偏差：3ps（典型值）；所有通道的最大值为 6ps
• 低串扰：1067MHz 下的典型值为 –34dB
• 低工作电流：40μA（典型值）
• 具有低功耗模式，电流消耗极低：2μA（典型值）
• IOFF保护防止断电状态 (VCC = 0V) 下的电流泄漏
• 支持 POD_12、SSTL_12、SSTL_15 和 SSTL_18 信令
• 静电放电 (ESD) 性能:
  • 3kV 人体放电模式（A114B，II 类）
  • 1kV 组件充电模式 (C101)
• 8mm x 3mm 48 焊球 0.65mm 间距 ZBA 封装

• Protocols
• DDR2, DDR3, DDR4
• Configuration
• 2:1 SPDT
• Number of channels (#)
• 12
• Bandwidth (MHz)
• 6000
• Supply voltage (Max) (V)
• 3.6
• Supply voltage (Min) (V)
• 2.375
• Ron (Typ) (Ohms)
• 8.3
• Input/ouput voltage (Min) (V)
• 0
• Input/ouput voltage (Max) (V)
• 3.3
• Supply current (Typ) (uA)
• 40
• ESD HBM (Typ) (kV)
• 3
• Operating temperature range (C)
• -40 to 85
• Crosstalk (dB)
• -68
• ESD CDM (kV)
• 1
• ICC (Typ) (uA)
• 40
• COFF (Typ) (pF)
• 1
• CON (Typ) (pF)
• 0.5
• Off isolation (Typ) (dB)
• -34
• OFF-state leakage current (Max) (μA)
• 5
• Propagation delay (ns)
• 85
• Ron (Max) (Ohms)
• 11.2
• Ron channel match (Max) (Ohms)
• 1
• RON flatness (Typ) (Ohms)
• 0.6
• Turn off time (disable) (Max) (ns)
• 65
• Turn on time (enable) (Max) (ns)
• 65
• VIH (Min) (V)
• 1.4
• VIL (Max) (V)
• 0.5

TS3DDR4000的完整型号有：TS3DDR4000ZBAR，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

TS3DDR4000ZBAR，工作温度：-40 to 85，封装：NFBGA (ZBA)-48，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-3-260C-168 HR，引脚镀层/焊球材料：SNAGCU，TI官网TS3DDR4000ZBAR的批量USD价格：.869（1000+）

TS3DDR4000-EVM — TS3DDR4000 评估模块

TS3DDR4000-EVM 是一款用于 TI 12 位高速 DDR2、DDR3 和 DDR4 开关/多路复用器的评估模块。该模块可以轻松评估功能开关和逻辑实施。