TXS4558 是一款完整的双电源待机智能身份模块 (SIM) 卡解决方案，用于将无线基带处理器与两个单独的 SIM 用户卡相连，以存储移动手机应用程序的数据。 这是一款定制器件，用于把单个 SIM/UICC 接口扩展至能够支持两个 SIM/UICC （通用集成芯片卡）。

该器件不但符合 ISO / IEC 智能卡接口要求，而且还支持 GSM 与 3G 移动标准。 它包含能够支持 Class B (2.95 V) 与 Class C (1.8 V) 接口的高速电平转换器、低压降 (LDO) 稳压器，可在 2.95 V Class B 与 1.8 V Class C 接口之间选择输出电压。 简单GPIO输入用于在两个SIM卡之间进行交换并使其进入不同模式。 电压电平转换器具有两个电源电压引脚。 VCC 负责设定用于基带接口的基准，并可采用 1.65V 至 3.3V 的工作电压。 VSIM1 和 VSIM2 被设置为
1.8V 或 2.95V，各由一个独立的内部 LDO 稳压器供电。 集成型 LDO 可接受 2.3V 至 5.5V 的输入电池电压，并向B侧电路及外部 Class B 或 Class C SIM 卡输出高达 50mA 的电流。

此外，TXS4558 还根据 SIM 卡的 ISO 7816-3 规范为 SIM 卡引脚整合了关断定序功能。 该器件不但可为 SIM 引脚提供 8 kV HBM 保护，而且还可为所有其它引脚提供标准 2kV HBM 保护。

• 电平转换器
  • VCC的电压范围 1.65 V 至 3.3 V
  • VBATT的电压范围 2.3 V 至 5.5 V
• 低压降 (LDO) 稳压器
  • 50-mA LDO 调节器具有可用的
  • 1.8-V 或者 2.95-V 可选输出电压
  • 超低压降: 在100 mV (最大值) 电压下 50 mA
• 通过GPIO 接口与基带处理器实现控制和通信
• 用于 SIM1 和 SIM2 卡的分离时钟停止模式
• ESD 保护等级超过 JESD 22 标准的要求
  • 2000-V 人体模式 (A114-B)
  • 500-V 充电设备模式（C101）
  • 8kV HBM 用于 SIM 引脚
• 封装
  • 20-引脚 QFN (3 mm x 3 mm)

• Technology Family
• TXS
• Applications
• SIM Card
• Rating
• Catalog
• Operating temperature range (C)
• -40 to 85

TXS4558的完整型号有：TXS4558RUKR，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

TXS4558RUKR，工作温度：-40 to 85，封装：WQFN (RUK)-20，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网TXS4558RUKR的批量USD价格：.822（1000+）

TXS4558EVM — TXS4558 评估模块

德州仪器 (TI) 的 TXS4558 评估模块 (EVM) 旨在展示 TXS4558 的功能，其为一款完整双电源标准智能识别模块 (SIM) 卡解决方案，用于连接具有两个独立 SIM 用户卡的无线基带处理器，可存储移动手持终端应用的数据。该器件面向 GPIO 控制和通信，GPIO 信号用于 SIM 和 SIM 模式之间的开关，实现单接口支持两个 SIM。

该 EVM 包含两个 SIM 卡插槽，以及连接所有器件信号的测试点。跳线、连接器和测试点均用器件信号名称标记。