UCC21222-Q1 器件是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器。该器件在极端温度条件下表现出一致的性能和稳定性。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶体管。

UCC21222-Q1 器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。该器件的 5ns 延迟匹配性能允许并联两个输出，能够在重负载条件下将驱动强度提高一倍，而无内部击穿风险。

输入侧通过一个 3.0kV_RMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100V/ns。

可通过电阻器编程的死区时间可让您调整系统限制的死区时间，从而提高效率并防止输出重叠。其他保护 特性 包括：当 DIS 设置为高电平时，通过禁用功能同时关闭两路输出；集成的抗尖峰滤波器可抑制短于 5ns 的输入瞬变；以及在输入和输出引脚上对高达 -2V 的尖峰进行 200ns 的负电压处理。所有电源都有 UVLO 保护。

• 具有符合 AEC Q100 标准的下列特性：
  • 器件温度 1 级
  • 器件人体放电模式 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 H2
  • 器件 CDM ESD 分类等级 C6
• 结温范围为 –40°C 至 150°C
• 可通过电阻器编程的死区时间
• 通用：双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
• 4A 峰值拉电流、6A 峰值灌电流输出
• 3V 至 5.5V 输入 VCCI 范围
• 高达 18V 的 VDD 输出驱动电源
  • 8V VDD UVLO
• 开关参数：
  • 28ns 典型传播延迟
  • 10ns 最小脉冲宽度
  • 5ns 最大延迟匹配度
  • 5.5ns 最大脉宽失真
• TTL 和 CMOS 兼容输入
• 集成抗尖峰滤波器
• I/O 承受 –2V 电压的时间达 200ns
• 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 100V/ns
• 隔离栅寿命大于 40 年
• 浪涌抗扰度高达 7800VPK
• 窄体 SOIC-16 (D) 封装
• 安全相关认证（计划）：
  • 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 和 DIN EN 61010-1 标准的 4242VPK 隔离
  • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 3000VRMS 隔离
  • 获得 CSA 认证，符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1 和 IEC 61010-1 终端设备标准
  • 通过 GB4943.1-2011 CQC 认证

• Number of channels (#)
• 2
• Isolation rating (Vrms)
• 3000
• Power switch
• GaNFET, IGBT, MOSFET
• Peak output current (A)
• 6
• DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk)
• 4242
• DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk)
• 990
• Output VCC/VDD (Max) (V)
• 18
• Output VCC/VDD (Min) (V)
• 9.2
• Input VCC (Min) (V)
• 3
• Input VCC (Max) (V)
• 5.5
• Prop delay (ns)
• 25
• Operating temperature range (C)
• -40 to 125
• Undervoltage lockout (Typ)
• 8

UCC21222-Q1的完整型号有：UCC21222QDQ1、UCC21222QDRQ1，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

UCC21222QDQ1，工作温度：-40 to 125，封装：SOIC (D)-16，包装数量MPQ：40个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-3-260C-168 HR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网UCC21222QDQ1的批量USD价格：1.913（1000+）

UCC21222QDRQ1，工作温度：-40 to 125，封装：SOIC (D)-16，包装数量MPQ：2500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-3-260C-168 HR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网UCC21222QDRQ1的批量USD价格：1.635（1000+）

UCC21220EVM-009 — UCC21220 4A/6A、3.0kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器评估模块

UCC21220EVM-009 专为评估 UCC21220 而设计，后者是一款具有 4.0A 拉电流和 6.0A 峰值灌电流容量的 3.0kVRMS 隔离双通道栅极驱动器。此 EVM 可用于参照驱动器 IC 的数据表对其进行评估。该 EVM 还可用作驱动器 IC 组件选择指南。此 EVM 可用于确定 PCB 布局对栅极驱动器性能的影响。

UCC21222-Q1 PSpice Transient Model

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PMP22650 — 基于 GaN 的 6.6kW 双向车载充电器参考设计

PMP22650 参考设计是一款 6.6kW 的双向车载充电器。该设计采用两相图腾柱 PFC 和带有同步整流功能的全桥 CLLLC 转换器。CLLLC 采用频率和相位调制在所需的调节范围内调节输出。该设计采用 TMS320F28388D 微控制器内的单个处理内核来控制 PFC 和 CLLLC。使用配有 Rogowski 线圈电流传感器的相同微控制器来实现同步整流。通过高速 GaN 开关 (LMG3522) 实现高密度。PFC 的工作频率为 120kHz，而 CLLLC 在 200kHz 至 800kHz 的可变频率范围内运行。峰值系统效率为 96.5%，该数值在 3.8kW/L (...)