- 制造厂商:TI
- 产品类别:电源管理
- 技术类目:栅极驱动器 - 隔离式栅极驱动器
- 功能描述:具有双输入、禁用引脚、死区时间的汽车类 4A/6A、5.7kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器
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UCC21520-Q1 是隔离式双通道栅极驱动器,具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该器件设计用于驱动高达 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET,具有一流的传播延迟和脉宽失真度。
输入侧通过一个 5.7kVRMS 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100V/ns。两个二次侧驱动器之间采用内部功能隔离,支持高达 1500 VDC 的工作电压。
每个驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。禁用引脚可同时关断两个输出,在保持开路或接地时允许器件正常运行。作为一种失效防护机制,初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。
每个器件接受高达 25V 的 VDD 电源电压。凭借 3V 至 18V 的宽输入电压 VCCI 范围,该驱动器非常适合连接模拟和数字控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。
凭借上述所有高级 功能,UCC21520-Q1 可以实现高效率、高功率密度和稳健性。
- 符合汽车应用 要求
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果
- 器件温度 1 级
- 器件 HBM ESD 分类等级 H2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C6
- 通用:双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
- 工作温度范围:–40 至 +125°C
- 开关参数:
- 19ns 典型传播延迟
- 10ns 最小脉冲宽度
- 5ns 最大延迟匹配度
- 6ns 最大脉宽失真度
- 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 100 V/ns
- 浪涌抗扰度高达 12.8kV
- 隔离栅寿命 > 40 年
- 4A 峰值拉电流,6A 峰值灌电流输出
- TTL 和 CMOS 兼容输入
- 3V 至 18V 输入 VCCI 范围,可连接数字和模拟控制器
- 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
- 5V 和 8V VDD UVLO 选项
- 可通过编程的重叠和死区时间
- 抑制短于 5ns 的输入脉冲和噪声瞬态
- 可针对电源排序快速禁用
- 安全相关认证:
- 8000VPK 增强型隔离,符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 标准
- 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离
- 获得 CSA 认证,符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准
- 获得 GB4943.1-2011 CQC 认证
- Number of channels (#)
- 2
- Isolation rating (Vrms)
- 5700
- Power switch
- IGBT, MOSFET
- Peak output current (A)
- 6
- DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk)
- 8000
- DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk)
- 2121
- Output VCC/VDD (Max) (V)
- 25
- Output VCC/VDD (Min) (V)
- 9.2, 6.5
- Input VCC (Min) (V)
- 3
- Input VCC (Max) (V)
- 18
- Prop delay (ns)
- 19
- Operating temperature range (C)
- -40 to 125
- Undervoltage lockout (Typ)
- 5, 8
UCC21520-Q1的完整型号有:UCC21520AQDWQ1、UCC21520AQDWRQ1、UCC21520QDWQ1、UCC21520QDWRQ1,以下是这些产品的关键参数及官网采购报价:
UCC21520AQDWQ1,工作温度:-40 to 125,封装:SOIC (DW)-16,包装数量MPQ:40个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-3-260C-168 HR,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网UCC21520AQDWQ1的批量USD价格:2.647(1000+)
UCC21520AQDWRQ1,工作温度:-40 to 125,封装:SOIC (DW)-16,包装数量MPQ:2000个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-3-260C-168 HR,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网UCC21520AQDWRQ1的批量USD价格:2.263(1000+)
UCC21520QDWQ1,工作温度:-40 to 125,封装:SOIC (DW)-16,包装数量MPQ:40个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-3-260C-168 HR,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网UCC21520QDWQ1的批量USD价格:2.647(1000+)
UCC21520QDWRQ1,工作温度:-40 to 125,封装:SOIC (DW)-16,包装数量MPQ:2000个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-3-260C-168 HR,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网UCC21520QDWRQ1的批量USD价格:2.263(1000+)
UCC21520EVM-286 — UCC21520 4A/6A 隔离式双通道栅极驱动器评估模块
UCC21520EVM-286 适用于评估 UCC21520DW(一种具备 4A 源电流容量和 6A 峰值灌电流容量的隔离式双通道栅极驱动器)。此 EVM 可用作功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET 的驱动参考设计,具备 UCC21520 引脚功能识别、组件选择指南以及 PCB 布局示例。
UCC21520 Unencrypted PSpice Transient Model
PSpice for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。借助?PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库,您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案,然后再进行布局和制造,可缩短产品上市时间并降低开发成本。
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TIDA-01604 — 效率为 98.6% 且适用于 HEV/EV 车载充电器的 6.6kW 图腾柱 PFC 参考设计
此参考设计基于多个碳化硅 (SiC) MOSFET 而构建,该 MOSFET 由 C2000 微控制器 (MCU) 通过 SiC 隔离式栅极驱动器进行驱动。此设计采用了三相交错技术并在连续导通模式 (CCM) 中运行,在 240V 输入电压和 6.6kW 全功率下可实现 98.46% 的效率。C2000 控制器可实现切相和自适应死区时间控制,从而改善轻载条件下的功率因数。栅极驱动器板(请参阅 TIDA-01605)能够提供 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。栅极驱动器板实现了增强型隔离,可承受超过 100V/ns 的共模瞬态抗扰度 (...)