- 制造厂商:TI
- 产品类别:电源管理
- 技术类目:栅极驱动器 - 隔离式栅极驱动器
- 功能描述:5.7kVrms, 4A/6A dual-channel isolated gate driver w/ dual input, disable pin, 8V UVLO in DW package
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UCC21520 和 UCC21520A 是隔离式双通道栅极驱动器,具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该器件设计用于驱动高达 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET,具有一流的传播延迟和脉宽失真度。
输入侧通过一个 5.7kVRMS 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100V/ns。两个二次侧驱动器之间采用内部功能隔离,支持高达 1500 VDC 的工作电压。
每个驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。禁用引脚 在设为高电平时可同时关断两个输出,在保持开路或接地时允许器件正常运行。作为一种失效防护机制,初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。
每个器件接受高达 25V 的 VDD 电源电压。凭借 3V 至 18V 的宽输入电压 VCCI 范围,该驱动器非常适合连接模拟和数字控制器。所有 电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。
凭借所有这些高级特性,UCC21520 和 UCC21520A 可 在各类电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。
- 通用:双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
- 工作温度范围:–40°C 至 +125°C
- 开关参数:
- 19ns 典型传播延迟
- 10ns 最小脉冲宽度
- 5ns 最大延迟匹配
- 6ns 最大脉宽失真
- 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 100V/ns
- 浪涌抗扰度高达 12.8kV
- 隔离层寿命 > 40 年
- 4A 峰值拉电流、6A 峰值灌电流输出
- TTL 和 CMOS 兼容输入
- 3V 至 18V 输入 VCCI 范围,可连接数字和模拟控制器
- 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
- 5V 和 8V VDD UVLO 选项
- 可通过编程的重叠和死区时间
- 抑制短于 5ns 的输入脉冲和噪声瞬态
- 电源定序快速禁用
- 业界通用的宽体 SOIC-16 (DW) 封装
- 安全相关认证:
- 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 标准的 8000VPK 增强型隔离
- 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离
- 获得 CSA 认证,符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准
- 获得 CQC 认证,符合 GB4943.1-2011 标准
- Number of channels (#)
- 2
- Isolation rating (Vrms)
- 5700
- Power switch
- GaNFET, IGBT, MOSFET
- Peak output current (A)
- 6
- DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk)
- 8000
- DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk)
- 2121
- Output VCC/VDD (Max) (V)
- 25
- Output VCC/VDD (Min) (V)
- 9.2, 6.5
- Input VCC (Min) (V)
- 3
- Input VCC (Max) (V)
- 18
- Prop delay (ns)
- 19
- Operating temperature range (C)
- -40 to 125
- Undervoltage lockout (Typ)
- 5, 8
UCC21520的完整型号有:UCC21520ADW、UCC21520ADWR、UCC21520DW、UCC21520DWR,以下是这些产品的关键参数及官网采购报价:
UCC21520ADW,工作温度:-40 to 125,封装:SOIC (DW)-16,包装数量MPQ:40个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-2-260C-1 YEAR,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网UCC21520ADW的批量USD价格:2.302(1000+)
UCC21520ADWR,工作温度:-40 to 125,封装:SOIC (DW)-16,包装数量MPQ:2000个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-2-260C-1 YEAR,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网UCC21520ADWR的批量USD价格:1.918(1000+)
UCC21520DW,工作温度:-40 to 125,封装:SOIC (DW)-16,包装数量MPQ:40个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-2-260C-1 YEAR,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网UCC21520DW的批量USD价格:2.302(1000+)
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TIEVM-VIENNARECT — 基于 Vienna 整流器且采用 C2000 MCU 的三相功率因数校正参考设计
高功率三相功率因数(交流/直流)应用(例如非车载电动汽车 (EV) 充电器和电信整流器)中使用了 Vienna 整流器电源拓扑。此设计说明了如何使用 C2000™ MCU 控制功率级。此设计使用 HSEC180 controlCARD 接口,该软件支持 F2837x 或 F2838x 以及 F28004x 系列的 MCU。详细了解 C2000 MCU 可以为电动汽车应用提供哪些功能。
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PSpice for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。借助?PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库,您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案,然后再进行布局和制造,可缩短产品上市时间并降低开发成本。
在?PSpice for TI 设计和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
UCC21520 Bootstrap Calculator 1.0
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TIDA-00951 — 效率大于 93% 且适用于 UPS 的 2kW、48V 至 400V 隔离式双向直流/直流转换器参考设计
此 2kW 隔离式双向直流/直流转换器参考设计 (TIDA-00951) 可在 400V 直流总线和 12 - 14 节锂电池组之间进行电力传输,可用于 UPS、电池备份和电力存储等应用。在备用模式下,此参考设计可用作采用 ZVS 技术的有源钳位升压转换器,将电源从 48V 电池传输至 400V 直流总线。当用作电压馈入式全桥电池充电器,从 400V 直流总线为 48V 电池充电时,此参考设计可实现大于 93% 的效率。此参考设计还设有内置直流总线和电池过流保护,并设有过压保护。TIDA-01540 — 采用具有内置死区时间插入功能的栅极驱动器的三相逆变器参考设计
TIDA-01540 参考设计可为增强型隔离式 10kW 三相逆变器降低系统成本并支持紧凑型设计。此设计在单个封装和自举配置中使用双栅极驱动器来为栅极驱动电源产生浮动电压,从而实现较低的系统成本和紧凑的外形尺寸。双栅极驱动器 UCC21520 具有可由电阻器选项进行配置的内置死区时间插入功能。由于输入 PWM 信号的重叠,这种独特的死区时间插入功能可为三相逆变器提供击穿保护。此设计通过防止过载、短路、接地故障、直流总线欠压和过压以及 IGBT 模块硬件过热问题来提高系统的可靠性。TIDA-01541 — 用于三相逆变器的高带宽相电流和 DC-Link 电压检测参考设计
TIDA-01541 参考设计在三相逆变器中进行隔离式相电流和直流链路电压测量,能够降低系统成本并支持紧凑型设计,同时可实现高带宽和检测精度。隔离放大器的输出端通过差分到单端电路连接到 MCU 的内部 ADC。借助隔离放大器可以在 MCU 内部使用 SAR ADC,从而降低系统成本,而不必在电流检测方面进行任何折衷。8 引脚封装可减小电路板外形尺寸。借助隔离式放大器的高带宽能够在 3.5μs 内保护 IGBT,而借助高性能规格可实现高精度的电流和电压测量。直流链路电压测量是在高输入阻抗下完成的,因此可避免由高压分压器引起的源阻抗效应,从而提高精度。TIDA-01159 — 紧凑型半桥增强隔离式栅极驱动参考设计
本参考设计为 UPS 驱动功率级、逆变器、服务器和电信应用中使用的半桥隔离式栅极驱动器。本参考设计基于 UCC21520 增强型隔离式栅极驱动器,能够驱动 MOSFET 和 SiC-FET。该设计包含内置的隔离式推挽辅助电源,用于为隔离式栅极驱动器的输出供电。通过在外形尺寸大约为 30mm × 35mm 的紧凑电路板中组合隔离式栅极驱动器和隔离式电源,本参考设计提供了一套经全面测试的可靠半桥驱动器解决方案,能够承受 100kV/μs 以上的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。