UCC21521 是一款隔离式双通道栅极驱动器，具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该器件设计用于驱动高达 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET，具有一流的传播延迟和脉宽失真度。

输入侧通过一个 5.7kV_RMS 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100V/ns。两个二次侧驱动器之间采用内部功能隔离，支持高达 1500 V_DC 的工作电压。

每个驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。EN 引脚拉低时会同时关闭两个输出，悬空或拉高时可使器件恢复正常运行。作为一种失效防护机制，初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。

此器件接受高达 25V 的 VDD 电源电压。3V 到 18V 的宽输入电压 VCCI 范围使得该驱动器适用于连接数字和模拟控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。

凭借所有这些高级特性，UCC21521 能够满足各类电源应用中对于高效率、高电源密度和稳健性的需求。

• 通用：双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
• 工作温度范围：–40 至 +125°
• 开关参数：
  • 19ns 典型传播延迟
  • 10ns 最小脉冲宽度
  • 5ns 最大延迟匹配
  • 5ns 最大脉宽失真
• 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 100V/ns
• 浪涌抗扰度高达 12.8kV
• 隔离层寿命 > 40 年
• 4A 峰值拉电流、6A 峰值灌电流输出
• TTL 和 CMOS 兼容输入
• 3V 至 18V 输入 VCCI 范围，可连接数字和模拟控制器
• 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
  • 5V、8V、12V VDD UVLO 选项
• 可通过编程的重叠和死区时间
• 抑制短于 5ns 的输入脉冲和噪声瞬态
• 电源时序快速启用
• 宽体 SOIC-16 (DW) 封装
• 安全相关认证：
  • 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 标准的 8000VPK增强型隔离
  • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5700VRMS 隔离
  • 获得 CSA 认证，符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准
  • 获得 CQC 认证，符合 GB4943.1-2011 标准

• Number of channels (#)
• 2
• Isolation rating (Vrms)
• 5700
• Power switch
• GaNFET, IGBT, MOSFET
• Peak output current (A)
• 6
• DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk)
• 8000
• DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk)
• 2121
• Output VCC/VDD (Max) (V)
• 25
• Output VCC/VDD (Min) (V)
• 14.7, 9.2, 6.5
• Input VCC (Min) (V)
• 3
• Input VCC (Max) (V)
• 18
• Prop delay (ns)
• 19
• Operating temperature range (C)
• -40 to 125
• Undervoltage lockout (Typ)
• 12, 5, 8

UCC21521的完整型号有：UCC21521ADW、UCC21521ADWR、UCC21521CDW、UCC21521CDWR、UCC21521DW、UCC21521DWR，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

UCC21521ADW，工作温度：-40 to 125，封装：SOIC (DW)-16，包装数量MPQ：40个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网UCC21521ADW的批量USD价格：2.302（1000+）

UCC21521ADWR，工作温度：-40 to 125，封装：SOIC (DW)-16，包装数量MPQ：2000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网UCC21521ADWR的批量USD价格：1.918（1000+）

UCC21521CDW，工作温度：-40 to 125，封装：SOIC (DW)-16，包装数量MPQ：40个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网UCC21521CDW的批量USD价格：2.302（1000+）

UCC21521CDWR，工作温度：-40 to 125，封装：SOIC (DW)-16，包装数量MPQ：2000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网UCC21521CDWR的批量USD价格：1.918（1000+）

UCC21521DW，工作温度：-40 to 125，封装：SOIC (DW)-16，包装数量MPQ：40个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网UCC21521DW的批量USD价格：2.002（1000+）

UCC21521DWR，工作温度：-40 to 125，封装：SOIC (DW)-16，包装数量MPQ：2000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网UCC21521DWR的批量USD价格：1.668（1000+）

UCC21520EVM-286 — UCC21520 4A/6A 隔离式双通道栅极驱动器评估模块

UCC21520EVM-286 适用于评估 UCC21520DW（一种具备 4A 源电流容量和 6A 峰值灌电流容量的隔离式双通道栅极驱动器）。此 EVM 可用作功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET 的驱动参考设计，具备 UCC21520 引脚功能识别、组件选择指南以及 PCB 布局示例。

UCC21521CEVM-286 — UCC21521C 4A/6A 隔离式双通道栅极驱动器评估模块

UCC21521CEVM-286 适用于评估 UCC21521CDW，后者是一种可实现 4A 源电流和 6A 峰值灌电流、12V UVLO 和使能（有源高级）功能的隔离式双通道栅极驱动器。此 EVM 可用作功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET 的驱动参考设计，具备 UCC21521C 引脚功能识别、组件选择指南以及 PCB 布局示例。

UCC21521A PSpice Transient Model

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