UCC21530 是一款隔离式双通道栅极驱动器，具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器可用于驱动高达 5MHz 的 IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET，具有出色的传播延迟和脉宽失真度。

输入侧通过 5.7kV_RMS 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI)至少为 100V/ns 。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离支持高达 1850V 的工作电压。

该器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。EN 引脚拉至低电平时会同时关闭两个输出，悬空或拉高时可使器件恢复正常运行。作为一种失效防护机制，初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。

此器件接受高达 25V 的 VDD 电源电压。3V 到 18V 的宽输入电压 VCCI 范围使得该驱动器适用于连接数字和模拟控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。

• 通用：双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
• 宽体 SOIC-14 (DWK) 封装
• 驱动器通道之间的间距为 3.3mm
• 开关参数：
  • 19ns 典型传播延迟
  • 10ns 最小脉冲宽度
  • 5ns 最大延迟匹配
  • 6ns 最大脉宽失真
• 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 100V/ns
• 隔离层寿命 > 40 年
• 4A 峰值拉电流、6A 峰值灌电流输出
• TTL 和 CMOS 兼容输入
• 3V 至 18V 输入 VCCI 范围
• 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
• 可编程的重叠和死区时间
• 抑制短于 5ns 的输入脉冲和噪声瞬态
• 工作温度范围：–40°C 至 +125°C
• 安全相关认证：
  • 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 标准的 8000VPK 隔离
  • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离
  • 符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准的 CSA 认证
  • 符合 GB4943.1-2011 的 CQC 认证

• Number of channels (#)
• 2
• Isolation rating (Vrms)
• 5700
• Power switch
• IGBT, SiCFET
• Peak output current (A)
• 6
• DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk)
• 8000
• DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk)
• 2121
• Output VCC/VDD (Max) (V)
• 25
• Output VCC/VDD (Min) (V)
• 14.7
• Input VCC (Min) (V)
• 3
• Input VCC (Max) (V)
• 18
• Prop delay (ns)
• 19
• Operating temperature range (C)
• -40 to 125
• Undervoltage lockout (Typ)
• 12

UCC21530的完整型号有：UCC21530DWK、UCC21530DWKR，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

UCC21530DWK，工作温度：-40 to 125，封装：SOIC (DWK)-14，包装数量MPQ：40个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网UCC21530DWK的批量USD价格：2.392（1000+）

UCC21530DWKR，工作温度：-40 to 125，封装：SOIC (DWK)-14，包装数量MPQ：2000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网UCC21530DWKR的批量USD价格：1.993（1000+）

UCC21530EVM-286 — UCC21530 隔离式双通道驱动器评估模块

UCC21530EVM-286 适用于评估 UCC21530DWK，后者是一种可实现 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流、12V UVLO、使能（高电平有效）功能和 3.3mm 通道间爬电间隙的隔离式双通道栅极驱动器。此 EVM 可用作在电源系统中驱动 IGBT 和 SiC MOSFET 的参考设计。

UCC21530 PSpice Transient Model

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TIDA-010054 — TIDA-010054

该参考设计概述了单相双有源电桥 (DAB) 直流/直流转换器的实现。DAB 拓扑具有软开关换向、减少器件数量和高效等优势。该设计在功率密度、成本、重量、电隔离、高电压转换比和可靠性等关键要素方面大有裨益，是电动汽车充电站和能量存储应用的理想之选。DAB 中的模块化和对称结构能堆叠多个转换器，实现高功率吞吐量和双向运行模式，从而支持电池充电和放电应用。

TIDA-00366 — 具有电流、电压和温度保护的增强型隔离式三相逆变器参考设计

此参考设计提供了额定功率最高 10kW 的三相逆变器，该逆变器采用增强型隔离式栅极驱动器 UCC21530、增强型隔离式放大器 AMC1301 和 AMC1311 以及 MCU TMS320F28027 设计而成。通过配合使用 AMC1301 与 MCU 的内部 ADC 来测量电机电流，以及为 IGBT 栅极驱动器使用自举电源，可以实现更低的系统成本。该逆变器根据设计具有针对过载、短路、接地故障、直流总线欠压/过压和 IGBT 模块过热的保护功能。