UCC2154x 是一个隔离式双通道栅极驱动器系列，该系列设计具有高达 4A/6A 峰值拉电流/灌电流，可驱动功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶体管，并且采用 DWK 封装的 UCC21540 还提供了 3.3mm 的最小通道到通道间距，有利于获得更高的总线电压。

UCC2154x 系列可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个 5.7kV_RMS 隔离层与两个输出驱动器隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100V/ns。

保护 功能 包括：可通过电阻器编程的死区时间；通过禁用功能同时关闭两路输出；集成的抗尖峰滤波器可抑制短于 5ns 的输入瞬变；以及在输入和输出引脚上对高达 -2V 的尖峰进行 200ns 的负电压处理。所有电源都有 UVLO 保护。

• 通用：双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
• 宽体封装选项
  • DW SOIC-16：引脚对引脚兼容 UCC21520
  • DWK SOIC-14：3.3mm 通道到通道间距
• 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 100V/ns
• 高达 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
• 3V 至 5.5V 输入 VCCI 范围
• 高达 18V 的 VDD 输出驱动电源
  • 8V VDD UVLO
• 开关参数：
  • 28ns 典型传播延迟
  • 10ns 最小脉冲宽度
  • 5ns 最大延迟匹配
  • 5.5ns 最大脉宽失真
• 可通过电阻器编程的死区时间
• TTL 和 CMOS 兼容输入
• 集成抗尖峰脉冲滤波器
• I/O 承受 –2V 电压的时间达 200ns
• 隔离栅寿命 > 40 年
• 浪涌抗扰度高达 12.8kVPK
• 输出端有源下拉保护
• 安全相关认证（计划）：
  • 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 和 DIN EN 61010-1 标准的 8000VPK 增强型隔离
  • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5700VRMS 隔离
  • 获得 CQC 认证，符合 GB4943.1-2011 标准

• Number of channels (#)
• 2
• Isolation rating (Vrms)
• 5700
• Power switch
• GaNFET, IGBT, MOSFET
• Peak output current (A)
• 6
• DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk)
• 8000
• DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk)
• 1414
• Output VCC/VDD (Max) (V)
• 18
• Output VCC/VDD (Min) (V)
• 9.2
• Input VCC (Min) (V)
• 3
• Input VCC (Max) (V)
• 5.5
• Prop delay (ns)
• 28
• Operating temperature range (C)
• -40 to 125
• Undervoltage lockout (Typ)
• 8

UCC21540的完整型号有：UCC21540DW、UCC21540DWK、UCC21540DWKR、UCC21540DWR，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

UCC21540DW，工作温度：-40 to 125，封装：SOIC (DW)-16，包装数量MPQ：40个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网UCC21540DW的批量USD价格：1.814（1000+）

UCC21540DWK，工作温度：-40 to 125，封装：SOIC (DWK)-14，包装数量MPQ：40个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网UCC21540DWK的批量USD价格：1.966（1000+）

UCC21540DWKR，工作温度：-40 to 125，封装：SOIC (DWK)-14，包装数量MPQ：2000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网UCC21540DWKR的批量USD价格：1.663（1000+）

UCC21540DWR，工作温度：-40 to 125，封装：SOIC (DW)-16，包装数量MPQ：2000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网UCC21540DWR的批量USD价格：1.512（1000+）

UCC21540EVM — 具有 3.3mm 通道间距的 5.0kVrms 隔离式双通道栅极驱动器评估模块

UCC21540EVM 适用于评估 UCC21540，后者是一种具备 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流能力的隔离式双通道栅极驱动器。此 EVM 可用作功率 MOSFET 的驱动参考设计，具备高达 18V 的驱动电压、UCC21540 引脚功能识别、组件选择指南以及 PCB 布局示例。

UCC21540 PSpice Transient Model

PSpice for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助?PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短产品上市时间并降低开发成本。

在?PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)

TIDM-1000 — 使用 C2000 MCU、基于 Vienna 整流器的三相功率因数校正参考设计

高功率三相功率因数 (AC-DC) 应用中（例如非板载 EV 充电器和电信整流器）使用了 Vienna 整流器电源拓扑。整流器的控制设计可能很复杂。此设计说明了使用 C2000 微控制器 (MCU) 控制功率级的方法。还根据 HTTP GUI 页面和以太网支持（仅 F2838x）实现了对 Vienna 整流器的监测和控制。供该设计使用的硬件和软件可帮助您缩短产品上市时间。

高功率三相功率因数校正应用中（例如非板载电动汽车充电和电信整流器）使用了 Vienna 整流器电源拓扑。此设计说明了如何使用 C2000 微控制器控制 Vienna 整流器。

(...)

TIDA-010062 — 1kW、80 Plus Titanium、GaN CCM 图腾柱无桥 PFC 和半桥 LLC 参考设计

此参考设计是一种数字控制的紧凑型 1kW 交流/直流电源设计，适用于服务器电源单元 (PSU) 和通信电源整流器应用。该高效设计支持两个主要功率级，包括一个前端连续导通模式 (CCM) 图腾柱无桥功率因数校正 (PFC) 功率级。PFC 功率级采用带有集成驱动器的 LMG341x GaN FET，可在较宽的负载范围内实现高效率，并且符合 80 plus titanium 要求。该设计还支持半桥 LLC 隔离式直流/直流级，以便在 1kW 功率下获得 +12V 直流输出。两个控制卡使用 C2000 Piccolo 微控制器来控制两个功率级。

PMP41006 — 由 C2000 和 GaN 实现 CCM 图腾柱 PFC 和电流模式 LLC 的 1kW 参考设计

此参考设计在使用 C2000 F28004x 微控制器的半桥 LLC 级上演示了一种混合迟滞控制 (HHC) 方法，这是一种电流模式控制方法。该硬件基于 TIDA-010062 1kW、80 Plus 钛金级、GaN CCM 图腾柱无桥 PFC 和半桥 LLC 参考设计。通过另行添加感应卡实现了混合迟滞控制，从而在谐振电容器上重新生成电压。与单环路电压模式控制方法 (VMC) 相比，该 HHC LLC 级具有更好的瞬态响应和易于控制的环路设计。

TIDA-00951 — 效率大于 93% 且适用于 UPS 的 2kW、48V 至 400V 隔离式双向直流/直流转换器参考设计

此 2kW 隔离式双向直流/直流转换器参考设计 (TIDA-00951) 可在 400V 直流总线和 12 - 14 节锂电池组之间进行电力传输，可用于 UPS、电池备份和电力存储等应用。在备用模式下，此参考设计可用作采用 ZVS 技术的有源钳位升压转换器，将电源从 48V 电池传输至 400V 直流总线。当用作电压馈入式全桥电池充电器，从 400V 直流总线为 48V 电池充电时，此参考设计可实现大于 93% 的效率。此参考设计还设有内置直流总线和电池过流保护，并设有过压保护。

TIDA-00366 — 具有电流、电压和温度保护的增强型隔离式三相逆变器参考设计

此参考设计提供了额定功率最高 10kW 的三相逆变器，该逆变器采用增强型隔离式栅极驱动器 UCC21530、增强型隔离式放大器 AMC1301 和 AMC1311 以及 MCU TMS320F28027 设计而成。通过配合使用 AMC1301 与 MCU 的内部 ADC 来测量电机电流，以及为 IGBT 栅极驱动器使用自举电源，可以实现更低的系统成本。该逆变器根据设计具有针对过载、短路、接地故障、直流总线欠压/过压和 IGBT 模块过热的保护功能。

PMP40500 — 54VDC 输入，12V、4A 输出半桥参考设计

这款 12V、42A 输出半桥参考设计适用于有线网络园区和分支交换机中的总线转换器。该设计具有高效率和各种故障保护功能（过流和短路）。该设计对使用 3kVRMS 基本和功能隔离栅驱动器 UCC21220D、UCC21220AD、UCC21222D 和使用 5.7kRMS 增强型隔离栅驱动器 UCC21540D、UCC21540DWK 及 UCC21541DW 的效率进行了比较。

TIDA-01540 — 采用具有内置死区时间插入功能的栅极驱动器的三相逆变器参考设计

TIDA-01540 参考设计可为增强型隔离式 10kW 三相逆变器降低系统成本并支持紧凑型设计。此设计在单个封装和自举配置中使用双栅极驱动器来为栅极驱动电源产生浮动电压，从而实现较低的系统成本和紧凑的外形尺寸。双栅极驱动器 UCC21520 具有可由电阻器选项进行配置的内置死区时间插入功能。由于输入 PWM 信号的重叠，这种独特的死区时间插入功能可为三相逆变器提供击穿保护。此设计通过防止过载、短路、接地故障、直流总线欠压和过压以及 IGBT 模块硬件过热问题来提高系统的可靠性。

TIDA-01541 — 用于三相逆变器的高带宽相电流和 DC-Link 电压检测参考设计

TIDA-01541 参考设计在三相逆变器中进行隔离式相电流和直流链路电压测量，能够降低系统成本并支持紧凑型设计，同时可实现高带宽和检测精度。隔离放大器的输出端通过差分到单端电路连接到 MCU 的内部 ADC。借助隔离放大器可以在 MCU 内部使用 SAR ADC，从而降低系统成本，而不必在电流检测方面进行任何折衷。8 引脚封装可减小电路板外形尺寸。借助隔离式放大器的高带宽能够在 3.5μs 内保护 IGBT，而借助高性能规格可实现高精度的电流和电压测量。直流链路电压测量是在高输入阻抗下完成的，因此可避免由高压分压器引起的源阻抗效应，从而提高精度。

TIDA-01159 — 紧凑型半桥增强隔离式栅极驱动参考设计

本参考设计为 UPS 驱动功率级、逆变器、服务器和电信应用中使用的半桥隔离式栅极驱动器。本参考设计基于 UCC21520 增强型隔离式栅极驱动器，能够驱动 MOSFET 和 SiC-FET。该设计包含内置的隔离式推挽辅助电源，用于为隔离式栅极驱动器的输出供电。通过在外形尺寸大约为 30mm × 35mm 的紧凑电路板中组合隔离式栅极驱动器和隔离式电源，本参考设计提供了一套经全面测试的可靠半桥驱动器解决方案，能够承受 100kV/μs 以上的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。