UCC21710-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器，设计用于高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT，具有先进的保护 功能、出色的动态性能和稳健性。

输入侧通过 SiO₂ 电容隔离技术与输出侧相隔离，支持高达 1.5kV_RMS 的工作电压、12.8kV_PK 的浪涌抗扰度，隔离层寿命超过 40 年，并提供较低的器件间偏移和高 CMTI。

• 单通道 SiC/IGBT 隔离式栅极驱动器
• 具有符合面向汽车 标准 （计划的认证）
• 高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT
• 33V 最大输出驱动电压 (VDD-COM)
• 高峰值驱动电流和高 CMTI
• 有源米勒钳位
• RDY 上的 UVLO（具有电源正常指示功能）
• 较短传播延迟和较小脉冲/器件间偏移
• 工作温度范围：–40°C 至 125°C
• 安全相关认证（计划）：
  • 符合 DIN V VDE V 0884-11 (VDE V 0884-11):2017-01 标准的 8000VPK VIOTM 和 2121VPK VIORM 增强型隔离
  • 符合 UL1577 标准、长达 1 分钟的 5700VRMS 隔离

• Number of channels (#)
• 1
• Isolation rating (Vrms)
• 5700
• Power switch
• IGBT, SiCFET
• Peak output current (A)
• 10
• DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk)
• 8400
• DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk)
• 2121
• Output VCC/VDD (Max) (V)
• 33
• Output VCC/VDD (Min) (V)
• 13
• Input VCC (Min) (V)
• 3
• Input VCC (Max) (V)
• 5.5
• Prop delay (ns)
• 90
• Operating temperature range (C)
• -40 to 125
• Undervoltage lockout (Typ)
• 12

UCC21710-Q1的完整型号有：UCC21710QDWQ1、UCC21710QDWRQ1，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

UCC21710QDWQ1，工作温度：-40 to 125，封装：SOIC (DW)-16，包装数量MPQ：40个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-3-260C-168 HR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网UCC21710QDWQ1的批量USD价格：3.286（1000+）

UCC21710QDWRQ1，工作温度：-40 to 125，封装：SOIC (DW)-16，包装数量MPQ：2000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-3-260C-168 HR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网UCC21710QDWRQ1的批量USD价格：2.81（1000+）

UCC21710QDWEVM-025 — 适用于 SiC 和 IGBT 晶体管及电源模块的驱动和保护评估板

UCC21710QDWEVM-025 是一个紧凑的单通道隔离式栅极驱动器板，可提供采用 150 x 62 x 17mm 和 106 x 62 x 30mm 封装的 SiC MOSFET 和 Si IGBT 电源模块所需的驱动电压、偏置电压、保护和诊断功能。此 TI EVM 以 5.7kVrms 增强型隔离驱动器 UCC21710 为基础，后者采用 SOIC-16DW 封装，具有 8.0mm 爬电距离和间隙。该 EVM 包含基于 SN6505B 的隔离式直流/直流变压器偏置电源。

UCC21710 PSpice Transient Model

PSpice for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助?PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短产品上市时间并降低开发成本。

在?PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)

UCC217xx XL Calculator Tool

此参考设计展示了 UCC21732 栅极驱动器与 UCC14xxx 系列偏置电源的组合。此设计可用于驱动各种功率管，包括直接连接到 Wolfspeed 碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 模块。此参考设计可用作高侧或低侧驱动器，也可使用容性模拟负载进行测试。