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UCC21736-Q1的基本参数
  • 制造厂商:TI
  • 产品类别:电源管理
  • 技术类目:栅极驱动器 - 隔离式栅极驱动器
  • 功能描述:适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有主动短路的汽车类 5.7kVrms ±10A 单通道隔离式栅极驱动器
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UCC21736-Q1的产品详情:

UCC21736-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器,用于具有高达 2121V 直流工作电压的 SiC MOSFET 和 IGBT,具有高级保护功能 功能、出色的动态性能和稳健性。UCC21736-Q1 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。

输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离,支持高达 1.5kVRMS 的工作电压、12.8kVPK 的浪涌抗扰度,隔离层寿命超过 40 年,并提供较低的器件间偏移、大于 150V/ns 的共模噪声抗扰度 (CMTI)。

UCC21736-Q1 具有高级保护功能 功能,如快速过流和短路检测、分流电流检测支持、故障报告、有源米勒钳位、输入和输出侧电源 UVLO(用于优化 SiC 和 IGBT 开关行为)和稳健性。可以利用 ASC 功能在系统故障事件期间强制打开电源开关,从而进一步提高驱动器的多功能性并消减系统设计工作量、尺寸和成本。

UCC21736-Q1的优势和特性:
  • 5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
  • 高达 2121Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大输出驱动电压 (VDD-VEE)
  • ±10A 驱动强度和分离输出
  • 150V/ns 最小 CMTI
  • 具有 200ns 快速响应时间的过流保护
  • 外部有源米勒钳位
  • 发生故障时的 900mA 软关断
  • 隔离侧的 ASC 输入,用于在系统故障期间打开电源开关
  • 过流警报 FLT 和通过 RST/EN 重置
  • 针对 RST/EN 的快速启用/禁用响应
  • 抑制输入引脚上的 <40ns 噪声瞬态和脉冲
  • RDY 上的 12V VDD UVLO 和 3V VEE UVLO(具有电源正常指示功能)
  • 具有高达 5V 的过冲/欠冲瞬态电压抗扰度的输入/输出
  • 130ns(最大)传播延迟和 30ns(最大)脉冲/器件间偏移
  • SOIC-16 DW 封装,爬电距离和间隙 > 8mm
  • 工作结温范围:-40°C 至 +150°C
UCC21736-Q1的参数(英文):
  • Number of channels (#)
  • 1
  • Isolation rating (Vrms)
  • 5700
  • Power switch
  • IGBT, SiCFET
  • Peak output current (A)
  • 10
  • DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk)
  • 8400
  • DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk)
  • 2121
  • Output VCC/VDD (Max) (V)
  • 33
  • Output VCC/VDD (Min) (V)
  • 13
  • Input VCC (Min) (V)
  • 3
  • Input VCC (Max) (V)
  • 5.5
  • Prop delay (ns)
  • 90
  • Operating temperature range (C)
  • -40 to 125
  • Undervoltage lockout (Typ)
  • 12
UCC21736-Q1具体的完整产品型号参数及价格(美元):

UCC21736-Q1的完整型号有:UCC21736QDWQ1、UCC21736QDWRQ1,以下是这些产品的关键参数及官网采购报价:

UCC21736QDWQ1,工作温度:-40 to 125,封装:SOIC (DW)-16,包装数量MPQ:40个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-3-260C-168 HR,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网UCC21736QDWQ1的批量USD价格:3.286(1000+)

UCC21736QDWRQ1,工作温度:-40 to 125,封装:SOIC (DW)-16,包装数量MPQ:2000个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-3-260C-168 HR,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网UCC21736QDWRQ1的批量USD价格:2.81(1000+)

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UCC21736-Q1的评估套件:

UCC21732QDWEVM-025 — 适用于 SiC/IGBT 的 UCC21732-Q1 汽车单通道隔离式栅极驱动器评估模块

UCC21732QDWEVM-025 是一个紧凑的单通道隔离式栅极驱动器板,可提供采用 150 x 62 x 17mm 和 106 x 62 x 30mm 封装的 SiC MOSFET 和 Si IGBT 电源模块所需的驱动电压、偏置电压、保护和诊断功能。此 TI EVM 以 5.7kVrms 增强型隔离驱动器 UCC21732 为基础,后者采用 SOIC-16DW 封装,具有 8.0mm 爬电距离和间隙。该 EVM 包含基于 SN6505B 的隔离式直流/直流变压器偏置电源。

UCC21736-Q1 Unencrypted PSpice Model

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UCC217xx XL Calculator Tool

此参考设计展示了 UCC21732 栅极驱动器与 UCC14xxx 系列偏置电源的组合。此设计可用于驱动各种功率管,包括直接连接到 Wolfspeed 碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 模块。此参考设计可用作高侧或低侧驱动器,也可使用容性模拟负载进行测试。
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