UCC21737-Q1_TI 适用于 SiC/IGBT、具有主动短路保护功能的汽车类 10A 隔离式单通道栅极驱动器

UCC21737-Q1的基本参数

制造厂商：TI
产品类别：电源管理
技术类目：栅极驱动器 - 隔离式栅极驱动器
功能描述：适用于 SiC/IGBT、具有主动短路保护功能的汽车类 10A 隔离式单通道栅极驱动器
点击这里打开及下载UCC21737-Q1的技术文档资料
TI代理渠道，提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格

UCC21737-Q1的产品详情：

UCC21737-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器，设计用于直流工作电压高达 2121V 的 SiC MOSFET 和 IGBT，具有先进的保护功能、出色的动态性能和稳健性。该器件具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。

输入侧通过 SiO₂ 电容隔离技术与输出侧相隔离，支持高达 1.5kV_RMS 的工作电压、12.8kV_PK 的浪涌抗扰度，隔离层寿命超过 40 年，并提供较低的器件间偏移，共模噪声抗扰度 (CMTI) 大于 150V/ns。

UCC21737-Q1 包括先进的保护特性，如快速过流和短路检测、分流电流检测支持、故障报告、有源米勒钳位、输入和输出侧电源 UVLO（用于优化 SiC 和 IGBT 开关行为）和稳健性。可以利用 ASC 功能在系统故障事件期间强制打开电源开关，从而进一步提高驱动器的多功能性并消减系统设计工作量、尺寸和成本。

UCC21737-Q1的优势和特性：

5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器
具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
- 器件温度等级 0：-40°C 至 +150°C 环境工作温度范围
- 器件 HBM ESD 分类等级 3A
- 器件 CDM ESD 分类等级 C6
高达 2121Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
33V 最大输出驱动电压 (VDD-VEE)
±10A 驱动强度和分离输出
150V/ns 最小 CMTI
具有 270 ns 快速响应时间的过流保护
外部有源米勒钳位
发生故障时的 900mA 软关断
隔离侧的 ASC 输入，用于在系统故障期间打开电源开关
过流警报 FLT 和通过 RST/EN 重置
针对 RST/EN 的快速启用/禁用响应
抑制输入引脚上的 <40ns 噪声瞬态和脉冲
RDY 上的 12V VDD UVLO 和 -3V VEE UVLO（具有电源正常指示功能）
具有高达 5V 过冲/欠冲瞬态电压抗扰度的输入/输出
130 ns（最大）传播延迟和 30 ns（最大）脉冲/器件间偏移
SOIC-16 DW 封装，爬电距离和间隙 > 8mm
工作结温范围：-40°C 至 +150°C

UCC21737-Q1的参数（英文）：

Number of channels (#)
1
Isolation rating (Vrms)
5700
Power switch
IGBT, SiCFET
Peak output current (A)
10
DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk)
8000
DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk)
2121
Output VCC/VDD (Max) (V)
33
Output VCC/VDD (Min) (V)
13
Input VCC (Min) (V)
3
Input VCC (Max) (V)
5.5
Prop delay (ns)
90
Operating temperature range (C)
-40 to 125
Undervoltage lockout (Typ)
12

UCC21737-Q1具体的完整产品型号参数及价格（美元）：

UCC21737-Q1的完整型号有：UCC21737QDWRQ1，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

UCC21737QDWRQ1，工作温度：-40 to 125，封装：SOIC (DW)-16，包装数量MPQ：2000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-3-260C-168 HR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网UCC21737QDWRQ1的批量USD价格：2.443（1000+）

UCC21737-Q1的评估套件：

UCC21732QDWEVM-025 — 适用于 SiC/IGBT 的 UCC21732-Q1 汽车单通道隔离式栅极驱动器评估模块

UCC21732QDWEVM-025 是一个紧凑的单通道隔离式栅极驱动器板，可提供采用 150 x 62 x 17mm 和 106 x 62 x 30mm 封装的 SiC MOSFET 和 Si IGBT 电源模块所需的驱动电压、偏置电压、保护和诊断功能。此 TI EVM 以 5.7kVrms 增强型隔离驱动器 UCC21732 为基础，后者采用 SOIC-16DW 封装，具有 8.0mm 爬电距离和间隙。该 EVM 包含基于 SN6505B 的隔离式直流/直流变压器偏置电源。

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice

PSpice for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助?PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短产品上市时间并降低开发成本。

在?PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)

UCC21737-Q1的电路图解：

UCC21737-Q1的评估套件：