UCC21750-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器，用于具有高达 2121V 直流工作电压的 SiC MOSFET 和 IGBT，具有高级保护功能 功能、出色的动态性能和稳健性。UCC21750-Q1 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。

输入侧通过 SiO₂ 电容隔离技术与输出侧相隔离，支持高达 1.5kV_RMS 的工作电压、12.8kV_PK 的浪涌抗扰度，隔离层寿命超过 40 年，并提供较低的器件间偏移、大于 150V/ns 的共模噪声抗扰度 (CMTI)。

UCC21750-Q1 具有高级保护功能 功能，如快速过流和短路检测、分流电流检测支持、故障报告、有源米勒钳位、输入和输出侧电源 UVLO（用于优化 SiC 和 IGBT 开关行为）和稳健性。可以利用隔离式模拟至 PWM 传感器更轻松地进行温度或电压检测，从而进一步提高驱动器的多功能性并简化系统设计工作量、尺寸和成本。

• 5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器
• 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
• 高达 2121Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
• 33V 最大输出驱动电压 (VDD-VEE)
• ±10A 驱动强度和分离输出
• 150V/ns 最小 CMTI
• 具有 200ns 快速响应时间的 DESAT 保护
• 4A 内部有源米勒钳位
• 发生故障时的 400mA 软关断
• 具有 PWM 输出的隔离式模拟传感器
  • 采用 NTC、PTC 或热敏二极管的温度感应
  • 高电压直流链路或相电压
• 过流警报 FLT 和通过 RST/EN 重置
• 针对 RST/EN 的快速启用/禁用响应
• 抑制输入引脚上的 <40ns 噪声瞬态和脉冲
• RDY 上的 12V VDD UVLO（具有电源正常指示功能）
• 具有高达 5V 的过冲/欠冲瞬态电压抗扰度的输入/输出
• 130ns（最大）传播延迟和 30ns（最大）脉冲/器件间偏移
• SOIC-16 DW 封装，爬电距离和间隙 > 8mm
• 工作结温范围：-40°C 至 +150°C

• Number of channels (#)
• 1
• Isolation rating (Vrms)
• 5700
• Power switch
• IGBT, SiCFET
• Peak output current (A)
• 10
• DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk)
• 8400
• DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk)
• 2121
• Output VCC/VDD (Max) (V)
• 33
• Output VCC/VDD (Min) (V)
• 13
• Input VCC (Min) (V)
• 3
• Input VCC (Max) (V)
• 5.5
• Prop delay (ns)
• 90
• Operating temperature range (C)
• -40 to 125
• Undervoltage lockout (Typ)
• 12

UCC21750-Q1的完整型号有：UCC21750QDWQ1、UCC21750QDWRQ1，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

UCC21750QDWQ1，工作温度：-40 to 125，封装：SOIC (DW)-16，包装数量MPQ：40个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-3-260C-168 HR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网UCC21750QDWQ1的批量USD价格：2.857（1000+）

UCC21750QDWRQ1，工作温度：-40 to 125，封装：SOIC (DW)-16，包装数量MPQ：2000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-3-260C-168 HR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网UCC21750QDWRQ1的批量USD价格：2.443（1000+）

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