UCC21750_TI 适用于 IGBT/SiC FET 且具有 DESAT 和内部米勒钳位的 5.7kVrms ±10A 单通道隔离式栅极驱动器

UCC21750的基本参数

制造厂商：TI
产品类别：电源管理
技术类目：栅极驱动器 - 隔离式栅极驱动器
功能描述：适用于 IGBT/SiC FET 且具有 DESAT 和内部米勒钳位的 5.7kVrms ±10A 单通道隔离式栅极驱动器
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UCC21750的产品详情：

UCC21750-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器，用于具有高达 2121V 直流工作电压的 SiC MOSFET 和 IGBT，具有高级保护功能功能、出色的动态性能和稳健性。

输入侧通过 SiO₂ 电容隔离技术与输出侧相隔离，支持高达 1.5kV_RMS 的工作电压、12.8kV_PK 的浪涌抗扰度，隔离层寿命超过 40 年，并提供较低的器件间偏移和高 CMTI。

UCC21750的优势和特性：

5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器
符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
高达 2121Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
33V 最大输出驱动电压 (VDD-VEE)
高峰值驱动电流和高 CMTI
4A 内部有源米勒钳位
发生故障时的 400mA 软关断
RDY 上的 12V VDD UVLO（具有电源正常指示功能）
130ns（最大）传播延迟和 30ns（最大）脉冲/器件间偏移
SOIC-16 DW 封装，爬电距离和间隙 > 8mm
工作结温范围：-40°C 至 +150°C

UCC21750的参数（英文）：

Number of channels (#)
1
Isolation rating (Vrms)
5700
Power switch
IGBT, SiCFET
Peak output current (A)
10
DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk)
8400
DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk)
2121
Output VCC/VDD (Max) (V)
33
Output VCC/VDD (Min) (V)
13
Input VCC (Min) (V)
3
Input VCC (Max) (V)
5.5
Prop delay (ns)
90
Operating temperature range (C)
-40 to 125
Undervoltage lockout (Typ)
12

UCC21750具体的完整产品型号参数及价格（美元）：

UCC21750的完整型号有：UCC21750DW、UCC21750DWR，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

UCC21750DW，工作温度：-40 to 125，封装：SOIC (DW)-16，包装数量MPQ：40个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网UCC21750DW的批量USD价格：2.484（1000+）

UCC21750DWR，工作温度：-40 to 125，封装：SOIC (DW)-16，包装数量MPQ：2000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网UCC21750DWR的批量USD价格：2.07（1000+）

UCC21750的评估套件：

UCC21750QDWEVM-025 — 适用于 SiC 和 IGBT 晶体管及电源模块的驱动和保护评估板

The UCC21750QDWEVM-025 is a compact, single channel isolated gate driver board providing drive, bias voltages, desat feature based protection and diagnostic needed for SiC MOSFET and Si IGBT Power Modules housed in 150 x 62 x 17 mm and 106 x 62 x 30 mm packages. This TI EVM is based on 5.7-kVrms (...)

UCC21750 PSpice Transient Model

PSpice for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

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UCC217xx XL Calculator Tool

此参考设计概述了具有 CMOS 输入隔离式 IGBT 栅极驱动器的三相逆变器中使用的安全转矩关闭 (STO) 子系统。该 STO 子系统采用双通道架构 (1oo2)，硬件容错能力为 1 (HFT=1)。它是按照失电跳闸概念实现的。当双路 STO 输入（STO_1 和 STO_2）变为低电平有效时，将通过负载开关切断六个隔离式 IGBT 栅极驱动器的初级侧和次级侧相应电源，从而停止控制电机并为其供电。此 STO 参考设计 (1oo2) 经过 TüV SüD 评估，通常符合 SIL 3 和 PL e/Cat 3标准。

PMP23223 — 具有偏置电源的智能隔离式栅极驱动器参考设计

此参考设计展示了 UCC21732 栅极驱动器与 UCC14xxx 系列偏置电源的组合。此设计可用于驱动各种功率管，包括直接连接到 Wolfspeed 碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 模块。此参考设计可用作高侧或低侧驱动器，也可使用容性模拟负载进行测试。

UCC21750的电路图解：

UCC21750的评估套件：