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UCC21750的基本参数
  • 制造厂商:TI
  • 产品类别:电源管理
  • 技术类目:栅极驱动器 - 隔离式栅极驱动器
  • 功能描述:适用于 IGBT/SiC FET 且具有 DESAT 和内部米勒钳位的 5.7kVrms ±10A 单通道隔离式栅极驱动器
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UCC21750的产品详情:

UCC21750-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器,用于具有高达 2121V 直流工作电压的 SiC MOSFET 和 IGBT,具有高级保护功能 功能、出色的动态性能和稳健性。

输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离,支持高达 1.5kVRMS 的工作电压、12.8kVPK 的浪涌抗扰度,隔离层寿命超过 40 年,并提供较低的器件间偏移和高 CMTI。

UCC21750的优势和特性:
  • 5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
  • 高达 2121Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大输出驱动电压 (VDD-VEE)
  • 高峰值驱动电流和高 CMTI
  • 4A 内部有源米勒钳位
  • 发生故障时的 400mA 软关断
  • RDY 上的 12V VDD UVLO(具有电源正常指示功能)
  • 130ns(最大)传播延迟和 30ns(最大)脉冲/器件间偏移
  • SOIC-16 DW 封装,爬电距离和间隙 > 8mm
  • 工作结温范围:-40°C 至 +150°C
UCC21750的参数(英文):
  • Number of channels (#)
  • 1
  • Isolation rating (Vrms)
  • 5700
  • Power switch
  • IGBT, SiCFET
  • Peak output current (A)
  • 10
  • DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk)
  • 8400
  • DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk)
  • 2121
  • Output VCC/VDD (Max) (V)
  • 33
  • Output VCC/VDD (Min) (V)
  • 13
  • Input VCC (Min) (V)
  • 3
  • Input VCC (Max) (V)
  • 5.5
  • Prop delay (ns)
  • 90
  • Operating temperature range (C)
  • -40 to 125
  • Undervoltage lockout (Typ)
  • 12
UCC21750具体的完整产品型号参数及价格(美元):

UCC21750的完整型号有:UCC21750DW、UCC21750DWR,以下是这些产品的关键参数及官网采购报价:

UCC21750DW,工作温度:-40 to 125,封装:SOIC (DW)-16,包装数量MPQ:40个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-2-260C-1 YEAR,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网UCC21750DW的批量USD价格:2.484(1000+)

UCC21750DWR,工作温度:-40 to 125,封装:SOIC (DW)-16,包装数量MPQ:2000个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-2-260C-1 YEAR,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网UCC21750DWR的批量USD价格:2.07(1000+)

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UCC21750的评估套件:

UCC21750QDWEVM-025 — 适用于 SiC 和 IGBT 晶体管及电源模块的驱动和保护评估板

The UCC21750QDWEVM-025 is a compact, single channel isolated gate driver board providing drive, bias voltages, desat feature based protection and diagnostic needed for SiC MOSFET and Si IGBT Power Modules housed in 150 x 62 x 17 mm and 106 x 62 x 30 mm packages. This TI EVM is based on 5.7-kVrms (...)

UCC21750 PSpice Transient Model

PSpice for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

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UCC217xx XL Calculator Tool

此参考设计概述了具有 CMOS 输入隔离式 IGBT 栅极驱动器的三相逆变器中使用的安全转矩关闭 (STO) 子系统。该 STO 子系统采用双通道架构 (1oo2),硬件容错能力为 1 (HFT=1)。它是按照失电跳闸概念实现的。当双路 STO 输入(STO_1 和 STO_2)变为低电平有效时,将通过负载开关切断六个隔离式 IGBT 栅极驱动器的初级侧和次级侧相应电源,从而停止控制电机并为其供电。此 STO 参考设计 (1oo2) 经过 TüV SüD 评估,通常符合 SIL 3 和 PL e/Cat 3标准。

PMP23223 — 具有偏置电源的智能隔离式栅极驱动器参考设计

此参考设计展示了 UCC21732 栅极驱动器与 UCC14xxx 系列偏置电源的组合。此设计可用于驱动各种功率管,包括直接连接到 Wolfspeed 碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 模块。此参考设计可用作高侧或低侧驱动器,也可使用容性模拟负载进行测试。
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