UCC24612 是用于标准和逻辑电平 N 沟道 MOSFET 功率器件的高性能同步整流器控制器和驱动器。通过实施接近理想的二极管仿真，UCC24612 可减少输出整流器的损耗，并间接减少初级侧损耗。漏极到源极 (V_DS) 传感控制方案允许 UCC24612 使用多个拓扑结构，例如有源钳位反激式、QR/DCM/CCM 反激式和 LLC 等。

集成 特性 可简化设计工作，使 UCC24612 在各种频率下都 应用中 ，并表现卓越。较宽的 VDD 和 VD 工作电压范围便于在输出电压高达 28V 的系统中轻松实施。通过自适应最短关闭时间可提高效率和抗噪能力。变体器件 UCC24612-1 和 UCC24612-2 具有不同的最短导通时间，以提高抗噪能力。通过比例栅极驱动器和连续导通模式 (CCM) 循环极限预关闭进一步增强了 CCM 模式下的稳健运行能力。

UCC24612 具有多个可提高效率的 特性 。具有较短传播延迟的快速比较器可减少开关损耗。9.5V 栅极驱动器钳位可降低 MOSFET 驱动损耗。频率相关待机模式可进一步降低待机功耗。这些 特性 可帮助 UCC24612 成为符合诸如美国能源部 (DoE) 第 VI 级和行为规范 (CoC) 第 2 级等严格效率标准的更大系统的一部分。

UCC24612 采用 SOT23-5 封装。

• 支持有源钳位反激式、QR、DCM、CCM 反激式和 LLC 等各种拓扑
• MOSFET VDS 感应高达 230V
• 工作频率高达 1MHz
  • UCC24612-1 为 1MHz
  • UCC24612-2 为 800kHz
• 宽 VDD 范围允许从 5V 至 28V 输出系统的直接偏置
• 具有比例栅极驱动器的 4A 灌电流、1A 拉电流栅极驱动器
• 自适应最短关闭时间，可提高抗噪能力
• 循环极限预关闭可提高 CCM 效率
• 高侧或低侧可配置
• 实现自动轻负载和睡眠模式管理，待机电流为 320μA
• 16ns 典型关闭传播延迟
• 9.5V 栅极驱动器钳位，可减少驱动损耗

• Topology
• Active Clamp Flyback, Active Clamp Forward, CCM, DCM, Forward, Full-Bridge, Half-Bridge, LLC, Quasi-Resonan
• Frequency (Max) (kHz)
• 1000
• UVLO thresholds on/off (V)
• 4.5/4
• Supply voltage (Max) (V)
• 28
• Features
• Synchronous Rectifier, Operation up to 1Mhz, Adaptive Minimum Off-time, High or low-side configurable, Automatic light load and sleep mode, Proportional gate drive
• Operating temperature range (C)
• -40 to 125

UCC24612的完整型号有：UCC24612-1DBVR、UCC24612-1DBVT、UCC24612-2DBVR、UCC24612-2DBVT，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

UCC24612-1DBVR，工作温度：-40 to 125，封装：SOT-23 (DBV)-5，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网UCC24612-1DBVR的批量USD价格：0.242（1000+）

UCC24612-1DBVT，工作温度：-40 to 125，封装：SOT-23 (DBV)-5，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网UCC24612-1DBVT的批量USD价格：0.29（1000+）

UCC24612-2DBVR，工作温度：-40 to 125，封装：SOT-23 (DBV)-5，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网UCC24612-2DBVR的批量USD价格：0.242（1000+）

UCC24612-2DBVT，工作温度：-40 to 125，封装：SOT-23 (DBV)-5，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网UCC24612-2DBVT的批量USD价格：0.29（1000+）

UCC28780EVM-002 — 具有 GaN FET 的 UCC28780 有源钳位反激式 45W 交流/直流转换器 EVM

UCC28780EVM-002 具有高效率和高功率密度等特性，可用于评估 45W 离线适配器，它采用了标称频率高达 300kHz 的 UCC28780 有源钳位反激式控制器和 GaN MOSFET 电源 IC、NV6115 及 NV6117 等器件。此 EVM 还在次级侧上使用了 UCC24612 同步整流器控制器。在 90Vac 至 264Vac 的输入电压范围内，输出被调整为 20Vdc。UCC28780 控制器可在多个自适应模式下运行，以最大限度降低完整系列和负载范围内的功率损耗。

UCC28780EVM-021 — 具有 UCC24612 和 Si MOSFET 的 UCC28780 有源钳位反激式转换器 45W EVM

UCC28780EVM-021 是一个 45W 的评估模块 (EVM)，可用于评估笔记本电脑充电应用和其他应用中所使用的离线有源钳位反激式适配器。该 EVM 符合 CoC 第 2 级和 DoE 第 6 级标准的能效要求。它旨在用于评估用途，而非作为最终产品。UCC28780EVM-021 可将 90VRMS 至 264VRMS 的输入电压转化为 20V 的直流电压，且具有 2.25A 的标称输出电流额定值和 160ms 的过功率限制。此设计中使用的主要器件是有源钳位反激式控制器 UCC28780、SR 控制器 UCC24612 和 Si MOSFET。

UCC24612-1EVM — 次级侧同步整流器控制器二极管更换演示板

The UCC24612-1EVM evaluation module (EVM) is used to convert the output rectifier of a flyback converter from a diode to a synchronous rectifier (SR) FET to investigate and evaluate the efficiency benefits of using an SR over a rectifier diode.