UCC27210 和 UCC27211 驱动器是基于广受欢迎的 UCC27200 和 UCC27201 MOSFET 驱动器，但性能得到了显著提升。峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至 4A 拉电流和 4A 灌电流，并且上拉和下拉电阻已经被减小至 0.9Ω，因此可以在 MOSFET 的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率 MOSFET。现在，输入结构能够直接处理 -10 VDC，这提高了稳健耐用性，并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。这些输入与电源电压无关，并且具有 20V 的最大额定值。

UCC2721x 的开关节点（HS 引脚）最高可处理 -18V 电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。UCC27210（伪 CMOS 输入）和 UCC27211（TTL 输入）已经增加了滞后特性，从而使得到模拟或数字脉宽调制 (PWM) 控制器接口的抗扰度得到了增强。

低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了 2ns 的延迟匹配。

由于在芯片上集成了一个额定电压为 120V 的自举二极管，因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能，可提供对称的导通和关断行为，并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。

两款器件均提供 8 引脚 SOIC (D)、PowerPAD SOIC-8 (DDA)、4mm × 4mm SON-8 (DRM) 和 SON-10 (DPR) 封装。

• 可通过独立输入驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
• 最大引导电压 120V 直流
• 4A 吸收，4A 源输出电流
• 0.9Ω 上拉和下拉电阻
• 输入引脚能够耐受 -10V 至 20V 的电压，并且与电源电压范围无关
• 晶体管-晶体管逻辑电路 (TTL) 或伪 CMOS 兼容输入版本
• 8V 至 17V VDD 运行范围（绝对最大值 20V）
• 7.2ns 上升时间和 5.5ns 下降时间（采用 1000pF 负载时）
• 短暂传播延迟时间（典型值 18ns)
• 2ns 延迟匹配
• 用于高侧和低侧驱动器的对称欠压锁定功能
• 可提供全部行业标准封装（小外形尺寸集成电路 (SOIC)-8 封装， PowerPADSOIC-8 封装，4mm × 4mm SON-8 封装以及 4mm × 4mm SON-10 封装）
• -40℃ 至 140℃ 的额定温度范围

应用

• 针对电信，数据通信和商用的电源
• 半桥和全桥转换器
• 推挽转换器
• 高电压同步降压转换器
• 两开关正激式转换器
• 有源箝位正激式转换器
• D 类音频放大器

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• Bus voltage (Max) (V)
• 110
• Power switch
• MOSFET
• Input VCC (Min) (V)
• 8
• Input VCC (Max) (V)
• 17
• Peak output current (A)
• 4
• Rise time (ns)
• 8
• Operating temperature range (C)
• -40 to 140
• Undervoltage lockout (Typ)
• 8
• Rating
• Catalog
• Number of channels (#)
• 2
• Fall time (ns)
• 7
• Prop delay (ns)
• 20
• Iq (uA)
• 1
• Input threshold
• TTL
• Channel input logic
• TTL
• Negative voltage handling at HS pin (V)
• -12
• Features
• —
• Driver configuration
• Dual, Non-Inverting, TTL Compatible

UCC27211的完整型号有：UCC27211D、UCC27211DDA、UCC27211DDAR、UCC27211DPRR、UCC27211DPRT、UCC27211DR、UCC27211DRMR、UCC27211DRMT，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

UCC27211D，工作温度：-40 to 140，封装：SOIC (D)-8，包装数量MPQ：75个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网UCC27211D的批量USD价格：1.102（1000+）

UCC27211DDA，工作温度：-40 to 140，封装：SO PowerPAD (DDA)-8，包装数量MPQ：75个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAUAG，TI官网UCC27211DDA的批量USD价格：1.102（1000+）

UCC27211DDAR，工作温度：-40 to 140，封装：SO PowerPAD (DDA)-8，包装数量MPQ：2500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAUAG，TI官网UCC27211DDAR的批量USD价格：.918（1000+）

UCC27211DPRR，工作温度：-40 to 140，封装：WSON (DPR)-10，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网UCC27211DPRR的批量USD价格：.918（1000+）

UCC27211DPRT，工作温度：-40 to 140，封装：WSON (DPR)-10，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网UCC27211DPRT的批量USD价格：1.102（1000+）

UCC27211DR，工作温度：-40 to 140，封装：SOIC (D)-8，包装数量MPQ：2500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网UCC27211DR的批量USD价格：.918（1000+）

UCC27211DRMR，工作温度：-40 to 140，封装：VSON (DRM)-8，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAUAG，TI官网UCC27211DRMR的批量USD价格：.918（1000+）

UCC27211DRMT，工作温度：-40 to 140，封装：VSON (DRM)-8，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAUAG，TI官网UCC27211DRMT的批量USD价格：1.102（1000+）

UCD3138HSFBEVM-029 — UCD3138HSFBEVM-029 评估模块

The Texas Instruments UCD3138HSFBEVM-029 evaluation module (EVM) is a digitally controlled hard switching full bridge converter based on the UCD3138RHA programmable digital power controller. The EVM is a standalone Symmetrical Hard Switching Full-Bridge (HSFB) DC-DC power converter designed for (...)

UCC27211 PSpice Transient Model

PSpice for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

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UCC272xx Schematic Review Template

这一经过验证的参考设计概述了如何实现基于 SiC 的三级三相直流/交流 T 型逆变器级。50KHz 的较高开关频率减小了滤波器设计的磁性元件尺寸，并因此提高了功率密度。通过使用可降低开关损耗的 SiC MOSFET，可确保实现高达 1000V 的更高直流总线电压和更低的开关损耗，从而达到 99% 的峰值效率。此设计可配置为两级或三级逆变器。该系统由单个 C2000 微控制器 (MCU) TMS320F28379D 进行控制，可在所有运行模式下为所有电源电子开关器件生成 PWM 波形。

TIDM-1003 — 适用于 PM 或 BLDC 电机的低电压、50A 无传感器 FOC 参考设计

The design is a 30V to 54 V Brushless DC motor (BLDC) or Permanent-magnet Synchronous Motors (PMSM) controller for low voltage, high current, high power ebike, power tool, fan, and pump applications. The design uses the Texas Instruments UCC27211D MOSFET drivers, CSD19506KCS 80V NexFET power (...)

TIDM-SOLARUINV — 采用 MPPT 的并网太阳能微型逆变器

此设计是一种具有最大功率点跟踪 (MPPT) 功能的数字控制并网太阳能微型逆变器。太阳能微型逆变器是太阳能行业的新兴领域。与将某个安装中的每个太阳能电池板连接到中央逆变器不同，基于太阳能微型逆变器的安装将各个更小的（或“微型”）逆变器分别链接到每个太阳能电池板。该配置本身具有很多优势，包括消除了部分遮光条件、提高了系统效率、提高了可靠性以及增强了模块化。对于此设计，C2000 Piccolo TMS320F28035 微控制器 (MCU) 是整个逆变器的数字控制器，包括控制功率级、MPPT 和并网同步。功率转换级包括 1) 具有次级倍压器的有源钳位反激式直流/直流转换器，以及 2) (...)

TIDA-00364 — 适用于叉车交流牵引电机且由 48V 直流电池供电的 5kW 逆变器功率级参考设计

TIDA-00364 是一款基于三相 MOSFET 的逆变器参考设计，可驱动用于叉车牵引的交流感应电机。该逆变器由一节 48Vdc 铅酸电池供电。该逆变器可提供 5KW 的输出功率，在具有合适散热设置的情况下可处理高达 130Arms 的持续电机电流。该设计使用安装在热包覆 PCB 上的多个并联 MOSFET (CSD19536) 来实现高额定电流。具有 4A 峰值拉/灌电流的 120V 半桥 MOSFET 栅极驱动器用于控制 MOSFET。该设计整合各种技术和措施来运行并联的 MOSFET。

TIDA-00195 — 用于三相逆变器系统的隔离式 IGBT 栅极驱动器评估平台参考设计

TIDA-00195 参考设计包括一个 22kW 功率级以及 TI 全新的增强型隔离式 IGBT 栅极驱动器 ISO5852S（适用于各种应用中的电机控制）。此设计可对三相逆变器（其中整合了额定电压为 1200V、额定电流范围为 50A-200A 的 IGBT 模块）中的 ISO5852S 进行性能评估。

评估的一些重要功能和性能包括使用 DESAT 检测的短路保护、软关断、在不同逆变器 dv/dt 下的有源米勒钳位的有效性以及 IGBT 栅极驱动器的源自可调速电气电力驱动系统 (IEC61800-3) 的系统级 ESD/EFT 性能。Piccolo Launch Pad (...)

TIDM-BUCKBOOST-BIDIR — 双向非隔离式降压升压转换器

此设计实现了一个双向非隔离降压升压功率转换器，适合于太阳能微转换器、混合动力电动汽车 (HEV) 和电池充电应用。

PMP8877 — 基于 UCD3138 数字控制器的 1/8 砖型隔离式 DC/DC 电信电源模块

PMP8877 是基于 UCD3138 数字电源控制器的全功能 1/8 砖型隔离式直流/直流电信电源模块。参考设计采用次级侧控制和硬开关全桥电源拓扑，可在 36V-72V 输入源宽范围内运行时提供 12V/180W 输出功率。该参考设计的亮点包括：94% 峰值效率、对输入电压浪涌的快速输入电压前馈响应、恒定电流/恒定电源过载保护、预偏置启动、用于并联模块应用的电流共享控制，以及 PMBUS 支持与对等控制器进行通信。偏置电源块采用 UCC25230，而该设计中采用的闸极驱动器包括用于驱动 SR MOSFET 的 UCC27524 和用于驱动初级侧半桥 MOSFET 的 (...)