UCC27284 -Q1 是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，UCC27284 -Q1 能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。由于输入与电源电压无关，因此 UCC27284 -Q1 与模拟控制器和数字控制器均可结合使用。在次级侧全桥同步整流等应用中，如需要，可实现两路输入及其各自输出的重叠。

输入引脚和 HS 引脚能够承受较大的负电压，因此提高了系统稳健性。5V UVLO 允许系统在较低的偏置电压下工作，这在许多高频应用中是必需的，并可在某些工作模式下提高系统效率。较小的传播延迟和延迟匹配规格可尽可能降低死区时间要求，从而进一步提高效率。

高侧和低侧驱动器级均配有欠压锁定 (UVLO) 功能，因此可在 VDD 电压低于指定阈值时强制将输出置为低电平。在许多应用中，集成自举二极管无需使用外部分立式二极管，节省布板空间和降低系统成本。 UCC27284-Q1 采用 SOIC 封装，适用于恶劣的系统环境。

• 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
  • 温度等级 1（Tj = –40°C 至 150°C）
  • 器件 HBM ESD 分类等级 1B
  • 器件 CDM ESD 分类等级 C3
• 可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET
• 5V 典型欠压锁定
• 16ns 典型传播延迟
• 1.8nF 负载时的上升时间为 12ns，下降时间为 10ns
• 1ns 典型延迟匹配
• 输入上的 5V 负电压处理能力
• HS 上的 14V 负电压处理能力
• ±3A 峰值输出电流
• 绝对最大启动电压为 120V
• 集成式自举二极管

• Bus voltage (Max) (V)
• 120
• Power switch
• MOSFET
• Input VCC (Min) (V)
• 5.5
• Input VCC (Max) (V)
• 16
• Peak output current (A)
• 3.5
• Rise time (ns)
• 12
• Operating temperature range (C)
• -40 to 125
• Undervoltage lockout (Typ)
• 5
• Rating
• Automotive
• Number of channels (#)
• 2
• Fall time (ns)
• 10
• Prop delay (ns)
• 16
• Iq (uA)
• 2
• Input threshold
• TTL
• Channel input logic
• TTL
• Negative voltage handling at HS pin (V)
• -14
• Features
• Enable
• Driver configuration
• Dual inputs

UCC27284-Q1的完整型号有：UCC27284QDQ1、UCC27284QDRQ1，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

UCC27284QDQ1，工作温度：-40 to 125，封装：SOIC (D)-8，包装数量MPQ：75个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网UCC27284QDQ1的批量USD价格：.959（1000+）

UCC27284QDRQ1，工作温度：-40 to 125，封装：SOIC (D)-8，包装数量MPQ：2500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网UCC27284QDRQ1的批量USD价格：.82（1000+）

UCC27282EVM-335 — UCC27282 120V、3A、5V UVLO 高侧低侧栅极驱动器评估模块

UCC27282EVM-335 适用于评估 UCC27282DRC，后者是一种具备高峰值拉电流和灌电流能力的 120V 半桥栅极驱动器。此 EVM 可用于参照驱动器 IC 的数据表对其进行评估。该 EVM 还可用作驱动器 IC 组件选择指南。此 EVM 可用于确定 PCB 布局对栅极驱动器性能的影响。

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