UCC27511 和 UCC27512 单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 电源开关。UCC27511 和 UCC27512 采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（典型值为 13ns）。

UCC27511 特有 双输入设计，同一器件可灵活实现反相（IN- 引脚）和非反相（IN+ 引脚）配置。IN+ 引脚和 IN- 引脚均可用于控制驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可用于启用和禁用功能。出于安全考虑，输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时，确保输出被保持在低电平。因此，未使用的输入引脚不能保持在悬空状态，而需要被适当的偏置以确保驱动器输出被启用用于正常运行。

UCC27511 器件的输入引脚阈值基于与 TTL 和 COMS 兼容的低电压逻辑电路，此逻辑电路是固定的且与 V_DD 电源电压无关。高低阈值间的宽滞后提供了出色的抗扰度。

UCC27511 和 UCC27512 提供 4A 拉电流，8A 灌电流（非对称驱动）峰值驱动电流能力。非对称驱动中的强劲灌电流能力提升了抗寄生、米勒接通效应的能力。UCC27511 器件还 具有 一个独特的分离输出配置，其中的栅极驱动电流通过 OUTH 引脚拉出，通过 OUTL 引脚灌入。这种独特的引脚排列使得用户能够分别在 OUTH 和 OUTL 引脚上使用独立的接通和关断电阻，并且能轻松控制开关转换率。

UCC27511 和 UCC27512 具有 4.5V 至 18V 的宽 V_DD 范围，以及 –40°C 至 140°C 的宽温度范围。V_DD 引脚上的内部欠压锁定 (UVLO) 电路可在超出 V_DD 运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压（例如低于 5V）下运行，并且拥有同类产品中较好的开关特性，因此非常适用于驱动诸如 GaN 功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。

• 低成本栅极驱动器器件提供 NPN 和 PNP 离散解决方案的高品质替代产品
• 4A 峰值拉电流和 8A 峰值灌电流非对称驱动
• 强劲的灌电流提供增强的抗米勒接通效应性能
• UCC27511 内部采用分离输出配置（便于单独调整接通和关断速度），节省了一个二极管
• 短暂传播延迟（典型值 13ns）
• 短暂上升和下降时间（典型值分别为 9ns 和 7ns）
• 4.5V 至 18V 单电源范围
• VDD 欠压闭锁 (UVLO) 期间输出保持低电平（确保加电和断电时无毛刺脉冲运行）
• 晶体管逻辑 (TTL) 和互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容输入逻辑阈值（与电源电压无关）
• 针对高抗扰度的滞后逻辑阈值
• 双输入设计（可选择反相（IN- 引脚）或非反相（IN+ 引脚）驱动器配置）
  • 未使用的输入引脚可用于使能或禁用功能
• 当输入引脚悬空时，输出保持在低电平
• 输入引脚绝对最大电压电平不受 VDD 引脚偏置电源电压的限制
• -40°C 至 140°C 的运行温度范围
• 6 引脚 DBV (SOT-23) 和 6 引脚 DRS（3mm x 3mm 带有外露散热焊盘的晶圆级小外形无引线 (WSON)）封装选项

应用

• 开关模式电源
• DC-DC 转换器
• 用于数字电源控制器的伴随栅极驱动器器件
• 太阳能、电机控制、不间断电源 (UPS)
• 用于新上市的宽带隙电源器件（例如 GaN）的栅极驱动器

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• Number of channels (#)
• 1
• Power switch
• MOSFET, IGBT, GaNFET
• Peak output current (A)
• 8
• Input VCC (Min) (V)
• 4.5
• Input VCC (Max) (V)
• 18
• Features
• Hysteretic Logic
• Operating temperature range (C)
• -40 to 140
• Rise time (ns)
• 9
• Fall time (ns)
• 7
• Prop delay (ns)
• 13
• Input threshold
• CMOS, TTL
• Channel input logic
• Inverting, Non-Inverting
• Input negative voltage (V)
• 0
• Rating
• Catalog
• Undervoltage lockout (Typ)
• 4
• Driver configuration
• Inverting, Non-Inverting

UCC27512的完整型号有：UCC27512DRSR、UCC27512DRST，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

UCC27512DRSR，工作温度：-40 to 140，封装：SON (DRS)-6，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网UCC27512DRSR的批量USD价格：0.378（1000+）

UCC27512DRST，工作温度：-40 to 140，封装：SON (DRS)-6，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网UCC27512DRST的批量USD价格：0.454（1000+）

UCC27512 PSpice Transient Model (Rev. B)

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UCC27511 and UCC27512 Schematic Review Template

此参考设计将板载变压器的匝数比从 5:1 修改为 3:1，以降低输入范围。该电路板支持 24V 至 32V 的输入电压、0.5V 至 1.0V 的输出电压和高达 40A 的输出电流。该拓扑有效支持高降压比，同时提供高输出电流和可控性。原 EVM 设计用于评估 LMG5200 GaN 半桥功率级和 TPS53632G 半桥负载点 (PoL) 控制器。该电路板通过倍流整流器将转换器作为单级硬开关半桥使用。该电路板是 LMG5200POLEVM-10 评估模块的重新设计版本。

PMP4497 — LMG5200 48V 至 1V/40A 单级转换器参考设计

PMP4497 是一款基于 GaN 的参考设计解决方案，适用于 FPGA、ASIC 等 Vcore 应用。凭借高度集成和低开关损耗，GaN 模块 LMG5200 可实现高效率单级 48V 至 1.0V 解决方案，从而取代传统的两级解决方案。此参考设计展示了与两级解决方案相比，此解决方案具有的 GaN 性能和系统优势。低成本 ER18 平面 PCB 变压器嵌于板上。此参考设计尺寸紧凑 (45mm*26mm*11mm)。还可通过优化频率和组件进一步减小尺寸。