UCC27614 是一款单通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动 MOSFET、IGBT、SiC 和 GaN 电源开关。UCC27614 的典型峰值驱动强度为 10A，这有助于缩短电源开关的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。UCC27614 器件的短传播延迟可改善系统的死区优化、控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。

UCC27614 可以在输入端处理 –10V 的电压，通过平缓的接地弹跳提高系统稳健性。输入与电源电压无关，可以连接大多数控制器输出，从而更大程度地提高控制灵活性。独立的使能信号支持在不依赖主控制逻辑的情况下对功率级进行控制。如果在系统中检测到故障，栅极驱动器可以快速关断功率级（需要关断动力总成）。使能功能还可提高系统稳健性。许多高频开关电源在电源器件的栅极都存在高频噪音，这种噪音会进入栅极驱动器的输出引脚，造成驱动器故障。UCC27614 具有瞬态反向电流和反向电压功能，因此在这种情况下具有优异的性能。

如果 VDD 电压低于指定的 UVLO 阈值，强大的内部下拉 MOSFET 可使输出保持低电平。此有源下拉特性可进一步改善系统稳健性。UCC27614 器件采用 2-mm × 2mm 封装并提供 10A 驱动电流，可提高系统功率密度。这种小型封装还可优化栅极驱动器放置并改进布局。

• 典型 10A 灌电流，10A 拉电流输出
• 输入和使能引脚可承受高达 –10V 的电压
• 绝对最大 VDD 电压：30V
• 宽 VDD 工作电压范围：4.5V 至 26V，具有 UVLO 功能
• 采用 2mm X 2mm SON8 封装
• 典型值为 17.5ns 的传播延迟
• SOIC8 封装的 EN（使能）引脚
• IN– 引脚可用于启用/禁用功能
• VDD 独立输入阈值（兼容 TTL）
• 可用作反相或同相驱动器
• 工作结温范围：–40°C 至 150°C

• Number of channels (#)
• 1
• Power switch
• MOSFET, IGBT
• Peak output current (A)
• 10
• Input VCC (Min) (V)
• 4.5
• Input VCC (Max) (V)
• 26
• Features
• UVLO, Enable Pin
• Operating temperature range (C)
• -40 to 150
• Rise time (ns)
• 5
• Fall time (ns)
• 4
• Prop delay (ns)
• 17
• Input threshold
• CMOS, TTL
• Channel input logic
• CMOS, TTL
• Input negative voltage (V)
• -10
• Rating
• Catalog
• Undervoltage lockout (Typ)
• 4
• Driver configuration
• Single

UCC27614的完整型号有：UCC27614DR、UCC27614DSGR，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

UCC27614DR，工作温度：-40 to 150，封装：SOIC (D)-8，包装数量MPQ：2500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网UCC27614DR的批量USD价格：.81（1000+）

UCC27614DSGR，工作温度：-40 to 150，封装：WSON (DSG)-8，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网UCC27614DSGR的批量USD价格：.6（1000+）

UCC27614EVM — UCC27614 单通道 30V、10A 高速低侧栅极驱动器评估模块

UCC27614 评估模块 (EVM) 设计用于评估 TI 的 30V、10A 单通道 2 × 2 栅极驱动器。此 EVM 旨在根据数据表参数评估驱动器 IC。可针对各种容性和电阻性负载评估驱动器 IC。EVM 可设置为反相或同相配置。EVM 的配置适用于评估采用 TO-220 封装的功率晶体管。

UCC27614 SIMPLIS Model

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UCC27614 Schematic Review Template

此参考设计是基于 GaN 的 3kW 相移全桥 (PSFB)，旨在实现最大的功率密度。该设计具有一个有源钳位，可尽可能地减小次级同步整流器 MOSFET 的电压应力，以使用具有更好品质因数 (FoM) 的额定电压较低的 MOSFET。PMP23126 在初级侧使用我们的 30mΩ GaN，在次级侧使用硅 MOSFET。与 Si MOSFET 相比，LMG3522 顶部冷却 GaN 集成了驱动器和保护功能，可在更宽的工作范围内保持 ZVS，从而实现更高的效率。PSFB 以 100kHz 的频率运行，可实现 97.74% 的峰值效率。