UCC27712 是一款 620V 高侧和低侧栅极驱动器，具有 1.8A 拉电流、2.8A 灌电流能力，专用于驱动功率 MOSFET 或 IGBT。

对于 IGBT，建议的 VDD 工作电压为 10V 至 20V，对于功率 MOSFET，建议的 VDD 工作电压为 10V 至 17V。

UCC27712 包含保护 功能， 在此情况下，当输入保持开路状态时，或当未满足最低输入脉宽规范时，输出保持低位。互锁和死区时间功能可防止两个输出同时打开。此外，该器件可接受宽泛的偏置电源范围并且为 VDD 和 HB 偏置电源提供了 UVLO 保护。

该器件采用 TI 先进的高压器件技术， 具有 强大的驱动器，拥有卓越的噪声和瞬态抗扰度，包括较大的输入负电压容差、高 dV/dt 容差、开关节点上较宽的负瞬态安全工作区 (NTSOA)，以及互锁。

该器件包含一个接地基准通道 (LO) 和一个悬空通道 (HO)，后者专用于自举电源或隔离式电源操作。该器件 具有 快速传播延迟和两个通道之间卓越的延迟匹配。在 UCC27712 上，每个通道均由其各自的输入引脚 HI 和 LI 控制。

• 高侧和低侧配置
• 双输入，带输出互锁和 150ns 死区时间
• 在高达 620V 的电压下完全可正常工作，HB 引脚上的绝对最高电压为 700V
• VDD 建议范围为 10V 至 20V
• 峰值输出电流 2.8A 灌电流、1.8A 拉电流
• 50V/ns 的 dv/dt 抗扰度
• HS 引脚上的逻辑运行电压高达 –11V
• 输入负电压容差为 –5V
• 大型负瞬态安全工作区
• 为两个通道提供 UVLO 保护
• 短传播延迟（典型值 100ns）
• 延迟匹配（典型值 12ns）
• 设计用于自举操作的悬空通道
• 低静态电流
• TTL 和 CMOS 兼容输入
• 行业标准 SOIC-8 封装
• 所有参数额定温度范围：–40°C 至 +125°C

• Bus voltage (Max) (V)
• 620
• Power switch
• MOSFET, IGBT
• Input VCC (Min) (V)
• 10
• Input VCC (Max) (V)
• 20
• Peak output current (A)
• 2.8
• Rise time (ns)
• 16
• Operating temperature range (C)
• -40 to 125
• Undervoltage lockout (Typ)
• 10
• Rating
• Catalog
• Number of channels (#)
• 2
• Fall time (ns)
• 10
• Prop delay (ns)
• 100
• Iq (uA)
• 250
• Input threshold
• TTL, CMOS
• Channel input logic
• Non-Inverting
• Negative voltage handling at HS pin (V)
• -11
• Features
• Interlock
• Driver configuration
• CMOS Compatible, Dual, Non-Inverting, TTL Compatible

UCC27712的完整型号有：UCC27712D、UCC27712DR，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

UCC27712D，工作温度：-40 to 125，封装：SOIC (D)-8，包装数量MPQ：75个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网UCC27712D的批量USD价格：.72（1000+）

UCC27712DR，工作温度：-40 to 125，封装：SOIC (D)-8，包装数量MPQ：2500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网UCC27712DR的批量USD价格：.6（1000+）

UCC27712EVM-287 — 具有互锁的 UCC27712 620V、1.8A、2.8A 高侧低侧栅极驱动器评估模块

UCC27712EVM-287 适用于评估 UCC27712D（一种具备高源和峰值灌电流容量的 620V 半桥栅极驱动器）。此 EVM 可用于参照驱动器 IC 的数据表对其进行评估。该 EVM 还可用作驱动器 IC 组件选择指南。该 EVM 可轻松地配置为各种功率级拓扑（例如同步降压转换器），且布局效果可进行测试。

UCC27712 PSpice Transient Model

PSpice for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助?PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短产品上市时间并降低开发成本。

在?PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)

UCC2771x Schematic Review Template

此参考设计是一款基于 GaN 的 3.6kW 单相持续导通模式 (CCM) 图腾柱功率因数校正 (PFC) 转换器，旨在实现更高的功率密度。此功率级之后是一个小型升压转换器，这有助于缩小大容量电容器的尺寸。LMG3522 采用 GaN 功率级顶部冷却封装，具有集成驱动器和保护功能，可实现更高的效率、缩小低电源尺寸和降低复杂性。F28004x 或 F28002x C2000 控制器可用于所有高级控制，包括快速继电器控制、交流压降事件期间的小幅升压运行、反向电流流动保护以及 PFC 和通用控制器之间的通信。PFC 在 65kHz 的开关频率下运行，可实现 98.7% 的峰值效率。

PMP21479 — 具有 Si FET 的 65W 有源钳位反激式适配器参考设计，用于高功率密度 5-20V 交流/直流适配器

此参考设计利用 UCC28780 有源钳位反激式控制器生成 20V/15V/9V/5V 可调节输出电压。在输出电压为 20V 时，最大额定功率为 65W，在所有其他输出电压设置下，最高为 3A。此设计使用硅 FET，通过零电压开关 (ZVS) 和重新捕捉泄漏能量，达到 93% 的峰值效率。高效率有助于实现小巧的外形规格和高功率密度。

TIDA-010047 — 功率密度为 22W/in3、峰值效率为 93.1%、且具有 Si MOSFET 的 100W USB-PD 3.0 交流/直流适配器参考设计

This fully-tested reference design is a high-efficiency, high-power-density, AC/DC adapter solution with a wide input voltage range (100- to 240-V AC) for laptop adapters and smartphone charger applications. This design consists of a front-end transition-mode (TM) power factor correction (PFC) (...)

PMP30720 — High efficiency, ultra-wide input (20 VDC to 375 VDC) isolated power supply reference design

此参考设计使用 UCC28C42 升压控制器和 UCC28780 有源钳位反激式控制器，在 20V 至 375V 的超宽输入电压范围内产生 24V/3.5A 隔离式输出。该设计还在次级侧使用 UCC24612 同步整流器控制器。零电压开关 (ZVS) 确保在宽工作电压范围内实现高效率。 (...)

PMP30631 — High Efficiency, 70-W AC/DC active clamp flyback reference design

此参考设计可利用 UCC28780 有源钳位反激式控制器在 90Vac 至 264Vac 输入电压范围内生成 20V/3.5A 的隔离输出。此设计还在次级侧使用了 UCC24612 同步整流器控制器。零电压开关 (ZVS) 确保在宽工作电压范围内实现高效率。

PMP40328 — 具有 SJ FET 的高效率、高功率密度有源钳位反激式适配器参考设计

PMP40328 是一款最大输出为 9V 5A 的参考设计，适用于高频率和高密度适配器应用。此解决方案采用了高效率有源钳位反激式控制器 UCC28780 和次级整流器控制器 UCC24612-2。满载效率约为 90%。集成型输入 UVLO 和输出 OVP、OCP、SCP 可提高电源系统的可靠性。此设计外形紧凑 (52mm X 31mm X 31mm)。

TIDA-010023 — 适用于三相逆变器的成本优化、< 1% 精确电流检测和保护参考设计

此参考设计展示了一款成本优化的三相逆变器桥臂（低侧分流）电流感应解决方案，该解决方案精确度高，并且可更快地响应无传感器的 2 分流或 3 分流磁场定向控制 (FOC)。此参考设计展示了充分摆幅响应趋稳时间接近 1µs、准确度误差小于 1% 的逆变器桥臂电流感应。即使附近有高功率 IGBT 开关，此设计也可展现出优异的噪声抑制性能。该设计在硬件中完全实现过流保护，总响应时间低于 1.5µs。