UCC28C5x-Q1 系列器件为高性能电流模式 PWM 控制器，有利于 Si 和 SiC MOSFET 应用。UCC28C5x-Q1 系列具有六个 VDD UVLO 选项，VDD 绝对上限扩展至 30V，还降低了启动和运行电流。UCC28C5x-Q1 系列提供 UCC28C4x-Q1 的改进型版本。下表所示为比较结果。UCC28C5x-Q1 系列采用 8 引脚 SOIC (D) 封装。

• 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
  • 器件温度等级 1：-40°C 至 +125°C
  • 器件 HBM 分类等级 2：±2kV
  • 器件 CDM 分类等级 C4B：750 V
• 提供功能安全
  • 可帮助进行功能安全系统设计的文档

• 28V VDD 建议上限工作等级

• 欠压锁定选项

  • SiC 和 SiC MOSFET 应用

• 工作频率：1MHz
• 50μA 待机电流，最大值 75μA
• 在 52kHz 下工作电流低至 1.3 mA
• 35ns 快速逐周期过流限制
• 峰值驱动电流为 ±1A
• 轨到轨输出摆幅，上升和下降时间分别为 25ns 和 20ns
• 初始修整的 2.5V 误差放大器基准为 ±1%

• 与 UCC28C4x-Q1 引脚对引脚兼容，可直接替代

• Topology
• Flyback, Boost, Buck, SEPIC, Forward
• Duty cycle (Max) (%)
• 100
• Supply voltage (Max) (V)
• 28
• UVLO thresholds on/off (V)
• 18.8/15.5
• Features
• Adjustable Switching Frequency, Current Limiting, Dead Time Control, Error Amplifier, Multi-topology, Programmable Max Duty Cycle
• Operating temperature range (C)
• -40 to 150
• Rating
• Automotive
• Frequency (Max) (kHz)
• 1000
• Gate drive (Typ) (A)
• 1

UCC28C56H-Q1的完整型号有：PUCC28C56HQDRQ1，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

PUCC28C56HQDRQ1，工作温度：-40 to 150，封装：SOIC (D)-8，包装数量MPQ：2500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：-，引脚镀层/焊球材料：-，TI官网PUCC28C56HQDRQ1的批量USD价格：.727（1000+）

UCC28C56EVM-066 — 适用于 UCC28C56H-Q1 初级侧控制（使用 AUX 绕组）反激式稳压器的评估模块

UCC28C56EVM-066 是一款适用于 EV 和 HEV 汽车动力总成的高效初级侧控制（使用 AUX 绕组）反激式辅助电源。该设计可为 800V 电池系统提供 15.2VTYP 40W 输出。在 125V 至 1000V 的输入电压范围内提供 40W 功率。确切输出电压取决于负载。该设计输入为 40V 至 125V，可提供功率为 20W。该 EVM 采用 1700V 碳化硅 (SiC) MOSFET，非常适合 800V 电池系统。