UCC53x0 是一系列 单通道隔离式栅极驱动器，用于驱动 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 和 GaN FET (UCC5350SBD)。UCC53x0S 提供分离输出，可分别控制上升和下降时间。UCC53x0M 将晶体管的栅极连接到内部钳位，以防止米勒电流造成假接通。UCC53x0E 的 UVLO2 以 GND2 为基准，以获取真实的 UVLO 读数。

UCC53x0 采用 4mm SOIC-8 (D) 或 8.5mm SOIC-8 (DWV) 封装，可分别支持高达 3kV_RMS 和 5kV_RMS 的隔离电压。凭借这些各种不同的选项，UCC53x0 系列非常适合电机驱动器和工业电源。

与光耦合器相比，UCC53x0 系列的部件间偏移更低，传播延迟更小，工作温度更高，并且 CMTI 更高。

• 特性选项
  • 分离输出 (UCC53x0S)
  • 以 GND2 为基准的 UVLO (UCC53x0E)
  • 米勒钳位选项 (UCC53x0M)
• 8 引脚 D（4mm 爬电）和DWV（8.5mm 爬电）封装
• 60ns（典型值）传播延迟
• 100kV/μs 最低 CMTI
• 隔离层寿命达 40 年以上
• 3V 至 15V 输入电源电压
• 高达 33V 的驱动器电源电压
  • 8V 和 12V UVLO 选项
• 输入引脚具有负 5V 电压处理能力
• 安全相关认证：
  • 7000VPK 隔离 DWV（计划）和 4242VPK 隔离 D（符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 和 DIN EN 61010-1 标准）
  • 5000VRMS DWV 和 3000VRMS D 隔离等级长达 1 分钟（符合 UL 1577 标准）
  • 符合 GB4943.1-2011D 和 DWV 标准的 CQC 认证（计划）
• CMOS 输入
• 工作温度范围：–40°C 至 +125°C

• Number of channels (#)
• 1
• Isolation rating (Vrms)
• 3000, 5000
• Power switch
• GaNFET, IGBT, MOSFET, SiCFET
• Peak output current (A)
• 10
• DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk)
• 4242
• DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk)
• 990
• Output VCC/VDD (Max) (V)
• 33
• Output VCC/VDD (Min) (V)
• 9.5
• Input VCC (Min) (V)
• 3
• Input VCC (Max) (V)
• 15
• Prop delay (ns)
• 65
• Operating temperature range (C)
• -40 to 125
• Undervoltage lockout (Typ)
• 12, 8

UCC5350的完整型号有：UCC5350MCD、UCC5350MCDR、UCC5350MCDWV、UCC5350MCDWVR、UCC5350SBD、UCC5350SBDR，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

UCC5350MCD，工作温度：-40 to 125，封装：SOIC (D)-8，包装数量MPQ：75个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网UCC5350MCD的批量USD价格：1.122（1000+）

UCC5350MCDR，工作温度：-40 to 125，封装：SOIC (D)-8，包装数量MPQ：2500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网UCC5350MCDR的批量USD价格：0.935（1000+）

UCC5350MCDWV，工作温度：-40 to 125，封装：SOIC (DWV)-8，包装数量MPQ：64个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网UCC5350MCDWV的批量USD价格：1.142（1000+）

UCC5350MCDWVR，工作温度：-40 to 125，封装：SOIC (DWV)-8，包装数量MPQ：1000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网UCC5350MCDWVR的批量USD价格：0.955（1000+）

UCC5350SBD，工作温度：-40 to 125，封装：SOIC (D)-8，包装数量MPQ：75个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网UCC5350SBD的批量USD价格：1.122（1000+）

UCC5350SBDR，工作温度：-40 to 125，封装：SOIC (D)-8，包装数量MPQ：2500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网UCC5350SBDR的批量USD价格：0.935（1000+）

UCC5320SCEVM-058 — UCC5320SC 隔离式栅极驱动器评估模块

UCC5320SCEVM is an Evaluation Module used to evaluate UCC53xx family of devices and it provides user with flexiblity of configuring driver to Split output, miller clamp or UVLO based on the device used . The EVM features enough test points & jumper options for one to evaluate the device (...)

UCC5350MCD Unencrypted PSpice Transient Model (Rev. A)

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UCC53x0 Gate Resistor and Thermal Calculator Tool

此参考设计概述了具有 CMOS 输入隔离式 IGBT 栅极驱动器的三相逆变器中使用的安全转矩关闭 (STO) 子系统。该 STO 子系统采用双通道架构 (1oo2)，硬件容错能力为 1 (HFT=1)。它是按照失电跳闸概念实现的。当双路 STO 输入（STO_1 和 STO_2）变为低电平有效时，将通过负载开关切断六个隔离式 IGBT 栅极驱动器的初级侧和次级侧相应电源，从而停止控制电机并为其供电。此 STO 参考设计 (1oo2) 经过 TüV SüD 评估，通常符合 SIL 3 和 PL e/Cat 3标准。

PMP23126 — 具有有源钳位、功率密度大于 270W/in3 的 3kW 相移全桥参考设计

此参考设计是基于 GaN 的 3kW 相移全桥 (PSFB)，旨在实现最大的功率密度。该设计具有一个有源钳位，可尽可能地减小次级同步整流器 MOSFET 的电压应力，以使用具有更好品质因数 (FoM) 的额定电压较低的 MOSFET。PMP23126 在初级侧使用我们的 30mΩ GaN，在次级侧使用硅 MOSFET。与 Si MOSFET 相比，LMG3522 顶部冷却 GaN 集成了驱动器和保护功能，可在更宽的工作范围内保持 ZVS，从而实现更高的效率。PSFB 以 100kHz 的频率运行，可实现 97.74% 的峰值效率。

PMP21639 — 65-W USB Type-C high density active clamp flyback with GaN reference design

此参考设计是一款高密度 USB 适配器，使用了 UCC28780 有源钳位反激式控制器以及具有集成驱动器和保护功能的 LMG3411R150 GaN。在 20V 输出电压下，最大额定功率是 65W，可调整为 20V/15V/9V/5V 输出电压和 3A 电流。此设计的峰值效率为 93.7%。平均效率和待机功耗等级符合 DoE VI 级和 CoC 2 级限值。该设计具有紧凑的尺寸，即 2.54” x 1.13” x 0.95” (65mm x 28mm x 25mm)。

TIDA-01420 — 适用于工业驱动器的基本隔离式三相紧凑型功率级参考设计

该用于工业驱动器的三相紧凑型功率级参考设计使用支持基本电容隔离要求的 UCC53xx 栅极驱动器，可通过光耦合器提供更长的使用寿命和更佳的传播延迟匹配，从而最大程度地减小逆变器死区失真和损耗。如果需要，可以在控制器之间使用另一级别的基本隔离，以在系统级别实现增强型隔离。该方法可优化系统的隔离成本并带来额外的紧凑优势。该设计还展示了栅极驱动器的互锁功能，该功能可以在击穿期间保护 IGBT。该参考设计使用 F28379 Delfino 控制卡生成 PWM 信号，用于控制三相逆变器。