The UCC5870-Q1 device is an isolated, highly configurable single-channel gate driver targeted to drive high power SiC MOSFETs and IGBTs in EV/HEV applications. Power transistor protections, such as shunt-resistor–based overcurrent, NTC-based overtemperature, and DESAT detection, include selectable soft turn-off or two-level turn-off during these faults. To further reduce the application size, the UCC5870-Q1 integrates a 4-A active Miller clamp during switching, and an active gate pulldown while the driver is unpowered. An integrated 10-bit ADC enables monitoring of up to six analog inputs and the gate driver temperature for enhanced system management. Diagnostics and detection functions are integrated to simplify the design of ASIL-D compliant systems. The parameters and thresholds for these features are configurable using the SPI interface, which allows the device to be used with nearly any SiC MOSFET or IGBT.

• Split output driver provides 30-A peak source and 30-A peak sink currents
• Adjustable "on the fly" gate drive strength
• Interlock and shoot-through protection with 150-ns(max) propagation delay and programmable minimum pulse rejection
• Primary and Secondary side active short circuit (ASC) support
• Configurable power transistor protections
  • DESAT based short circuit protection
  • Shunt resistor based overcurrent and short circuit protection
  • NTC based overtemperature protection
  • Programmable soft turnoff (STO) and two-level turnoff (2LTOFF) during power transistor faults
• Functional Safety-Compliant
  • Developed for functional safety applications
  • Documentation available to aid ISO 26262 system design up to ASIL D
• Integrated diagnostics:
  • Built-in self test (BIST) for protection comparators
  • IN+ to transistor gate path integrity
  • Power transistor threshold monitoring
  • Internal clock monitoring
  • Fault alarm (nFLT1) and warning (nFLT2) outputs
• Integrated 4-A active Miller clamp or optional external drive for Miller clamp transistor
• Advanced high voltage clamping control
• Internal and external supply undervoltage and overvoltage protection
• Active output pulldown and default low outputs with low supply or floating inputs
• Driver die temperature sensing and overtemperature protection
• 100-kV/μs minimum common mode transient immunity (CMTI) at VCM = 1000V
• SPI based device reconfiguration, verification, supervision, and diagnosis
• Integrated 10-bit ADC for power transistor temperature, voltage, and current monitoring
• Safety-related certifications:
  • 3750– VRMS isolation for 1 minute per UL1577 (planned)
• AEC-Q100 qualified with the following results:
  • Device temperature grade 0: –40°C to 125°C ambient operating temperature
  • Device HBM ESD classification level 2
  • Device CDM ESD classification level C4b

• Number of channels (#)
• 1
• Isolation rating (Vrms)
• 3750
• Power switch
• IGBT, SiCFET
• Peak output current (A)
• 30
• DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk)
• 5250
• DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk)
• 1000
• Output VCC/VDD (Max) (V)
• 30
• Output VCC/VDD (Min) (V)
• 15
• Input VCC (Min) (V)
• 3
• Input VCC (Max) (V)
• 5.5
• Prop delay (ns)
• 150
• Operating temperature range (C)
• -40 to 125
• Undervoltage lockout (Typ)
• Programmable

UCC5870-Q1的完整型号有：UCC5870QDWJQ1、UCC5870QDWJRQ1，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

UCC5870QDWJQ1，工作温度：-40 to 125，封装：SSOP (DWJ)-36，包装数量MPQ：37个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-3-260C-168 HR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网UCC5870QDWJQ1的批量USD价格：5.708（1000+）

UCC5870QDWJRQ1，工作温度：-40 to 125，封装：SSOP (DWJ)-36，包装数量MPQ：750个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-3-260C-168 HR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网UCC5870QDWJRQ1的批量USD价格：4.88（1000+）

UCC5870QDWJEVM-026 — UCC5870-Q1 functional safety compliant 15-A isolated IGBT/SiC MOSFET gate driver evaluation module

UCC5870-Q1 评估模块适用于评估 TI 的 UCC5870-Q1 这款具有高级保护功能的 15A 隔离式单通道栅极驱动器。此驱动器专用于驱动 EV/HEV 应用中的大功率 SiC MOSFET 和 IGBT。包含多种保护功能，如有源米勒钳位、DESAT 检测、分流电流感应支持、软关断、VCE 过压保护、栅极驱动器电源 UVLO 和 OVLO 保护、温度监测和热关断以及栅极监测等，适用于具有高可靠性要求的系统。该驱动器还通过串行外设接口 (SPI) 集成了先进的诊断、保护和监控功能。

UCC5870QEVM-045 — UCC5870-Q1 符合功能安全标准的 15A 隔离式 IGBT/SiC MOSFET 栅极驱动器三相 EVM

UCC5870-Q1 三相评估模块 (EVM) 适用于评估 TI 这款具有高级保护功能的 15A 隔离式单通道栅极驱动器。此 EVM 专用于驱动 EV/HEV 应用中的大功率 SiC MOSFET 和 IGBT。这款三相 EVM 可用于调试软件以适应驱动器的串行外设接口 (SPI)，还可评估驱动器先进的诊断、保护和监控功能。

UCC5870-Q1 EVM GUI Software (Rev. A)

PSpice for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

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UCC5870-Q1 XL Calculator Tool

此参考设计演示了如何通过一个 TMS320F28388D 实时 C2000 MCU 控制 HEV/EV 牵引逆变器和双向直流/直流转换器。牵引控制利用基于软件的旋转变压器转数字转换器 (RDC)，使电机转速高达 20,000RPM。直流/直流转换器结合了峰值电流模式控制 (PCMC) 技术、相移全桥 (PSFB) 拓扑以及同步整流 (SR) 机制。牵引逆变器级采用碳化硅 (SiC) 功率级，由 UCC5870-Q1 智能栅极驱动器驱动。利用比较器子系统 (CMPSS) 中先进的 PWM 模块和内置斜坡补偿功能，可生成 PCMC 波形。该系统基于 ASIL (...)

PMP22817 — 带集成变压器的汽车类 SPI 可编程栅极驱动器和偏置电源参考设计

此参考设计为牵引逆变器和车载充电器中的电源开关提供隔离式偏置电源和隔离式栅极驱动器。偏置电源和驱动器均可提供 800VDC 总线应用所需的高隔离（3kV RMS 持续一分钟）。隔离式偏置提供 24VDC，包括 +15V 和 -5V 栅极驱动偏置。隔离式驱动器提供快速开通和关断这些大功率开关所需的高电流（峰值电流高达 30A），并提供高级保护功能。PMP22817 还提供经过测试的直流/直流单端初级电感器转换器 SEPIC，以便关断汽车类电池电压（6V 至 42V，包括浪涌/突降），从而提供稳定的 24V 电压。